Разработана технология и изготовлены фотоприемные модули для спектральных диапазонов 3-5 и 8-12 мкм на основе гетероструктур Ga_1-xCd_xTe/GaAs и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Фоточувствительные слои Hg_1-xCd_xTe выращивали на подложках GaАs с промежуточным буферным слоем CdZnTe. С целью уменьшения влияния поверхности на рекомбинационные процессы выращивались варизонные слои Hg_1-xCd_xTe с повышенным составом к поверхности. Разработан и изготовлен по КМОП/ПЗС технологии кремниевый мультиплексор с кадровой частотой считывания изображения 50 Гц. Гибридная микросборка матричных фотоприемников и мультиплексора проводилась методом групповой холодной сварки на индиевых столбах с контролем процесса присоединения. Изготовленные модули на основе слоев Hg_1-xCd_xTe размером 128x 128 элементов при рабочей температуре 78 K и частоте кадров 50 Гц имели температурное расширение 0.02 и 0.032 K для модулей с границей чувствительности 6 и 8.7 мкм соответственно. Фоточувствительные многослойные структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs изготавливали методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что разработанная технология позволяет получать многоэлементные фотоприемники размером 128x128 элементов (lambda_пик~ 8 мкм) c температурным разрешением модуля 0.021 и 0.06 K при рабочей температуре 54 и 65 K соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.