"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Матричные фотоприемники 128x 128 на основе слоев HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs
Овсюк В.Н.1, Сидоров Ю.Г.1, Васильев В.В.1, Шашкин В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Разработана технология и изготовлены фотоприемные модули для спектральных диапазонов 3-5 и 8-12 мкм на основе гетероструктур Ga1-xCdxTe/GaAs и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Фоточувствительные слои Hg1-xCdxTe выращивали на подложках GaАs с промежуточным буферным слоем CdZnTe. С целью уменьшения влияния поверхности на рекомбинационные процессы выращивались варизонные слои Hg1-xCdxTe с повышенным составом к поверхности. Разработан и изготовлен по КМОП/ПЗС технологии кремниевый мультиплексор с кадровой частотой считывания изображения 50 Гц. Гибридная микросборка матричных фотоприемников и мультиплексора проводилась методом групповой холодной сварки на индиевых столбах с контролем процесса присоединения. Изготовленные модули на основе слоев Hg1-xCdxTe размером 128x 128 элементов при рабочей температуре 78 K и частоте кадров 50 Гц имели температурное расширение 0.02 и 0.032 K для модулей с границей чувствительности 6 и 8.7 мкм соответственно. Фоточувствительные многослойные структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs изготавливали методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что разработанная технология позволяет получать многоэлементные фотоприемники размером 128x128 элементов (lambdaпик~ 8 мкм) c температурным разрешением модуля 0.021 и 0.06 K при рабочей температуре 54 и 65 K соответственно.
  1. J.M. Arias, M. Zandian, S.H. Shin. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (3), 1646 (1991)
  2. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman. Thin Sol. Films, 267, 121 (1995)
  3. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
  4. В.М. Осадчий, А.О. Сусляков, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий. ФТП, 33 (3), 293 (1999)
  5. В.С. Варавин, В.В. Васильев, Т.И. Захарьяш. Опт. журн., 66 (2), 69 (1999)
  6. V.V. Vasilyev, D.G. Esaev, A.G. Klimenko. Proc. SPIE, 3061, 956 (1997)
  7. М.А. Демьяненко, О.Р. Копп, Г.Л. Курышев, В.Н. Овсюк, В.В. Шашкин. Автометрия, N 4, 35 (1998)
  8. А.Г. Клименко, В.Г. Войнов, А.Р. Новоселов. Автометрия, N 4, 105 (1998)
  9. L.N. Romashko, A.G. Klimenko, A.P. Kravchenko. Proc. SPIE, 3437, 446 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.