"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму
Александров О.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

На основе дуального парного механизма разработана модель диффузии фосфора в кремнии, в которой вклад пар примесь--вакансия PV и примесь--<собственный межузельный атом (СМА)> PI учитывается непосредственно через коэффициент диффузии фосфора. Нарушение термодинамического равновесия по собственным точечным дефектам происходит вследствие диффузии нейтральных пар PI. На высокотемпературной стадии диффузии, диффузия фосфора описывается одним уравнением с коэффициентом диффузии, зависящем как от локальной, так и от поверхностной концентрации фосфора, а на последующей --- более низкотемпературной стадии диффузии --- двумя уравнениями диффузии для суммарных концентраций фосфор- и СМА-содержащих компонентов. Аномально высокая скорость низкотемпературной диффузии обеспечивается избыточными СМА, запасенными в легированном слое во время предшествующей высокотемпературной диффузии. Модель позволяет количественно описать особенности диффузии фосфора в широком диапазоне поверхностных концентраций как при высоких (900--1100oC), так и при низких (500--700oC) температурах.
  1. S.M. Hu. In: Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (London--N.Y., Plenum Press, 1973) ch. 5. [Пер.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)]
  2. R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed by F.F.Y. Wang. (North-Holland Publishing Company, 1981) ch. 7
  3. S.M. Hu, P. Fahey, R.W. Dutton. J. Appl. Phys., 54, 6912 (1983)
  4. К.О. Петросянц, О.В. Мазинг. ЗЭТ, N 5--6, 3 (1991)
  5. R.B. Fair, J.C.C. Tsai. J. Electrochem. Soc., 124, 1107 (1977)
  6. R.B. Fair. J. Appl. Phys., 50, 860 (1979)
  7. M. Yoshida. Japan. J. Appl. Phys., 18, 479 (1979)
  8. M. Yoshida, E. Arai. Japan. J. Appl. Phys., 34, 5891 (1995)
  9. D. Mathiot, J.S. Pfister. J. Phys. Lett., 43, L453 (1982)
  10. В.А. Пантелеев. ФТТ, 21, 3388 (1979);
  11. В.А. Пантелеев, М.И. Василевский, Г.М. Големшток, В.И. Окулич. ФТТ, 28, 3226 (1986)
  12. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  13. B.J. Mulvaney, W.B. Richardson. Appl. Phys. Lett., 51, 1439 (1987)
  14. M. Orlowski. Appl. Phys. Lett., 53, 723 (1988)
  15. H.U. Jager, T. Feudel, S. Ulbricht. Phys. St. Sol. (a), 116, 571 (1989)
  16. F.F. Morhead, R.F. Lever. Appl. Phys. Lett., 48, 151 (1986), J. Appl. Phys., 66, 5349 (1989)
  17. D. Mathiot, S. Martin. J. Appl. Phys., 70, 3071 (1991)
  18. D. Mathiot, J.S. Pfister. J. Appl. Phys., 55, 3518 (1984)
  19. W.B. Richardson, B.J. Mulvaney. J. Appl. Phys., 65, 2243 (1989)
  20. B.J. Mulvaney, W.B. Richardson. J. Appl. Phys., 67, 3197 (1990)
  21. M. Budil, H. Potzl, G. Stingeder, M. Grasserbauer, K. Goser. Mater. Sci. Forum, 38-- 41, 719 (1989)
  22. B. Baccus, T. Wada, N. Shiguo, M. Horishima, H. Nakajima, K. Inou, T. Iinuma, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 648 (1992)
  23. K. Ghaderi, G. Hobler. J. Electrochem. Soc., 142, 1654 (1995)
  24. F.N. Shwettman, D.L. Kendall. Appl. Phys. Lett., 19, 218 (1971)
  25. F.N. Shwettman, D.L. Kendall. Appl. Phys. Lett., 21, 2 (1972)
  26. О.В. Александров, Р.З. Тумаров. В сб.: Легирование полупроводников (М., Наука, 1982) с. 97
  27. О.В. Александров, В.И. Соколов. Электрон. техн., сер. 2, N 6, 38 (1975)
  28. О.В. Александров, Р.Н. Кютт, В.И. Прохоров, Л.М. Сорокин. ФТТ, 31, 182 (1989)
  29. В.И. Прохоров, В.И. Соколов, Л.М. Сорокин. ФТТ, 23, 1302 (1981)
  30. R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed. by F.F.Y. Wang. (North-Holland Publishing Company, 1981) ch. 7
  31. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) гл. 5
  32. О.В. Александров, Н.В. Ашкинадзе, Р.З. Тумаров. ФТТ, 26, 632 (1984)
  33. О.В. Александров, Р.Н. Кютт, Т.Г. Алкснис. ФТТ, 22, 2892 (1980)
  34. J.P. John, M.E. Law. Appl. Phys. Lett., 62, 1388 (1993)
  35. T. Shimizu, T. Takagi, S. Matsumoto et. al. Japan. Appl. Phys., 37, 1184 (1998)
  36. D.J. Roth, J.D. Plummer. J. Electrochem. Soc., 141, 1074 (1994)
  37. R.L. Meek, T.E. Seidel, A.G. Cullis. J. Electrochem. Soc., 122, 786 (1975)
  38. Р.Ш. Малкович, В.А. Покоева. ФТТ, 18, 2606 (1976)
  39. G. Weyer, M. Fanciulli, K. Freitag, A.N. Larsen, M. Lindroos, E. Muller, H.C. Vestergaard. Mater. Sci. Forum, 196-- 201, 1117 (1995)
  40. W. Frank. Inst. Phys. Conf. Ser., 23, 23 (1975)
  41. K. Taniguchi, D.A. Antoniadis, Y. Matsushita. Appl. Phys. Lett., 42, 961 (1983)
  42. H. Zimmermann, H. Ryssel. Appl. Phys. A, 55, 121 (1992)
  43. T.Y. Tan, U. Gosele. Appl. Phys. A, 37, 1 (1985)
  44. N.A. Stolwijk, J. Holzl, W. Frank, E.R. Weber, H. Mehrer. Appl. Phys. A, 39, 37 (1986)
  45. W. Wijaranakula. J. Appl. Phys., 67, 7624 (1990)
  46. P.B. Griffin, P.M. Fahey, J.B. Plummer, R.W. Dutton. Appl. Phys. Lett., 47, 319 (1985)
  47. D.B. Lee. Philips Res. Rep. Suppl., 25, 1 (1974)
  48. S. Matsumoto, M. Yoshida, T. Niimi. Japan. J. Appl. Phys., 13, 1899 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.