Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 11 » Статья стр. 1299
<<<>>>
Примесное оптическое поглощение и структура зоны проводимости в 6H-SiC
Горбань И.С.1, Крохмаль А.П.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
PDF версия
В кристаллах 6H-SiC n-типа проводимости, легированных азотом, исследованы спектры поглощения для ориентаций электрического поля световой волны ( E) относительно оптической оси (C) E|| C и E normal C от ближней инфракрасной области до фундаментальной полосы. Впервые при E|| C исследована слабая полоса поглощения с максимумом при 2.85 эВ. Все наблюдаемые полосы поглощения обусловлены фотоионизацией доноров (азота) с переходом электронов в вышележащие минимумы зоны проводимости, расположенные в разных критических точках зоны Бриллюэна. На основании анализа полученных новых данных, а также известных экспериментальных данных по фотоионизации азота и имеющихся теоретических данных по структуре зоны проводимости для 6H-SiC предложено расположение и симметрия дополнительных экстремумов зоны проводимости в зоне Бриллюэна.
  1. П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1921 (1995)
  2. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП 33, 1096 (1999)
  3. H.G. Junginger, W. van Haeringen. Phys. St. Sol., 37, 709 (1970)
  4. В.И. Санкин. ФТТ, 15, 961 (1973)
  5. B.W. Wessels, H.C. Gatos. J. Phys. Chem. Sol., 38, 345 (1977)
  6. И.С. Горбань, В.А. Губанов, В.Д. Кулаковский, А.С. Скирда, Б.Н. Шепель. ФТТ, 30, 1605 (1988)
  7. V.I. Gavrilenko, A.V. Postnikov, N.I. Klyui, V.G. Litovchenko. Phys. St. Sol. (b), 162, 477 (1990)
  8. P.J. Collwell, M.V. Klein. Phys. Rev. B, 6, 498 (1972)
  9. N.T. Son, O. Kordina, A.O. Konstantinov, W.M. Chen, E. Sorman, B. Monemar, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 3209 (1994)
  10. C. Persson, U. Lindefelt. J. Appl. Phys., 82, 5496 (1997)
  11. W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumnong, S.N. Rashkeev, B. Segall. Phys. St. Sol. (b), 202, 5 (1997)
  12. C. Persson, U. Lindefelt. J. Appl. Phys., 86, 5036 (1999)
  13. B.K. Meyer, D.M. Hofmann, D. Volm, W.M. Chen, N.T. Son, E. Janzen. Phys. Rev. B, 61, 4844 (2000)
  14. W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. B., 172, 769 (1968)
  15. Г.Б. Дубровский, Е.И. Радованова. ФТТ, 11, 680 (1969)
  16. О.В. Вакуленко, О.А. Говорова. ФТТ, 12, 1857 (1970)
  17. В.В. Макаров. ФТП, 6, 1805 (1972)
  18. B.E. Wheeler. Sol. St. Commun., 4, 173 (1966)
  19. В.И. Гавриленко, В.А. Зуев, Г.А. Катрич, Д.Т. Таращенко. ФТП, 12, 1621 (1978)
  20. E. Biederman. Sol. St. Commun., 3, 343 (1965)
  21. B. Ellis, T.S. Moss. Proc. Roy. Soc., A299, 393 (1967)
  22. И.С. Горбань, Ю.А. Маразуев, А.С. Скирда. ФТТ, 14, 780 (1972)
  23. М.П. Лисица, О.В. Вакуленко, Ю.С. Краснов, В.Н. Солодов. ФТП, 5, 2047 (1971)
  24. И.С. Горбань, В.П. Завада, А.С. Скирда. ФТТ, 14, 3097 (1972)
  25. О.В. Вакуленко, О.А. Говорова, Б.М. Шутов. ФТТ, 14, 291 (1972)
  26. G.B. Dubrovskii, A.A. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol. (b), 57, 423 (1973)
  27. И.С. Горбань, А.С. Скирда. Укр. физ. журн., 26, 228 (1981)
  28. Г.Н. Виолина, Е. Лян-сю, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 5, 3406 (1963)
  29. Г.Н. Виолина, Б.И. Селезнев, Ю.М. Таиров. ФТП, 7, 1821 (1973)
  30. О.В. Вакуленко. Б.М. Шутов. ФТП, 13, 2002 (1979)
  31. Th. Stiasny, R. Helbig. Phys. S. Sol. (a), 162, 239 (1997)
  32. W. Suttrop, G. Pensl, W.J. Choyke, R. Stein, S. Leibenzeder. J. Appl. Phys., 72, 3708 (1992)
  33. О.В. Вакуленко, О.А. Гусева. ФТТ, 15, 528 (1981)
  34. S. Limpijumnong, W.R.L. Lambrecht, S. Rashkeev, B. Segall. Phys. Rev. B, 59, 12 890 (1999)
  35. F. Engelbrecht, J. Zeman, G. Wellenhofer, C. Peppermuller, R. Helbig, G. Martinez, U. Rossler. Phys. Rev. B, 56, 7348 (1997)
  36. C. Persson, U. Lindefelt, B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 60, 16 479 (1999)
  37. A. Imai. J. Phys. Soc. Japan., 21, 2610 (1966)
  38. Г.Б. Дубровский, А.А. Лепнева. ФТТ, 19, 1252 (1977)
  39. A.H.G. de Mesquita. Acta Cryst., 23, 610 (1967)
  40. C. Kittel, A. Mitchell. Phys. Rev., 96, 1488 (1954). [В кн.: Проблемы физики полупроводников (М., 1957) с. 505]
  41. J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev. B., 97, 869 (1955). [В кн.: Проблемы физики полупроводников (М., 1957) с. 515]
  42. M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, 2842 (1980)
  43. А.И. Вейнгер. ФТП, 3, 20 (1969)
  44. Г.Е.Г. Хардеман, Г.Б. Герритсен. В кн.: Карбид кремния, под ред. Г. Хениша, Р. Роя. (М., Мир, 1972) с. 201. [Пер. с англ.: G.E. Hardeman, G.V. Gerritsen. Mater. Res. Bull., 4, 261 (1969)]
  45. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986) гл. 5, с. 216. [Пер. с англ.: B.K. Ridley. Quantum processes in semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1982)]
  46. И.С. Горбань, В.А. Губанов, В.Ф. Орленко. ФТТ, 23, 525 (1981)
  47. И.С. Горбань, А.П. Крохмаль, И.А. Рожко. ФТТ, 31, 126 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme