Вышедшие номера
Физические основы реконструкции метастабильных примесных центров в полупроводниках
Онопко Д.Е.1, Рыскин А.И.1
1Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

На основе анализа характера изменения электронной структуры и химической связи регулярного кристалла при легировании, а также при изменении зарядового состояния дефекта предложена общая картина перестройки метастабильных центров, донорных и акцепторных, в различных полупроводниках: "классических" полупроводниковых соединениях III-V и II-VI, преимущественно ионном кристалле CdF2 и узкозонных соединениях IV-VI; выявлены причины, приводящие к реконструкции центра, установлены общие тенденции и специфика их проявлений для отдельных классов кристаллов и типов примесных центров.