Вышедшие номера
Оптическая ширина запрещенной зоны полупроводников Cd1-xMnxTe и Zn1-xMnxTe
Жуковский П.В.1, Партыка Я.1, Венгерэк П.1, Сидоренко Ю.В.2, Шостак Ю.А.2, Родзик А.1
1Люблинский технический университет, Люблин, Польша
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 22 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Методами катодолюминесценции и отражения света исследована зависимость оптической ширины запрещенной зоны полупроводниковых соединений Zn1-xMnxTe и Cd1-xMnxTe. Установлено, что в соединениях Zn1-xMnxTe в области x=<sssim 0.2 появляется дополнительное уширение запрещенной зоны на величину около 0.08 эВ, связанное с наличием в монокристаллах высокой концентрации дефектов межузельного типа. При x>~= 0.3 вероятность существования этих дефектов существенно уменьшается, что связано с искажением тетраэдров кристаллической решетки Zn1-xMnxTe атомами Mn, входящими в состав каждого из тетраэдров.