"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика фотолюминесценции GaAs под действием поверхностной акустической волны
Журавлев К.С.1, Гилинский А.М.1, Царев А.В.1, Николаенко А.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции нелегированного GaAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Показано, что приложение импульса поверхностной акустической волны с напряженностью поля до ~50 В/см, задержанного на 20-30 мкс относительно лазерного импульса, приводит к значительному (до 10-20 раз) возрастанию интенсивности переходов зона--акцептор при незначительном изменении интенсивности линий донор--акцептор и отсутствии возгорания экситонных переходов. Экспериментальные данные свидетельствуют об ионизации мелких доноров под действием электрического поля поверхностной акустической волны и подтверждают предложенную ранее модель механизма рекомбинации, объясняющую обнаруженное недавно длительное неэкспоненциальное затухание фотолюминесценции свободных электронов в чистом GaAs влиянием многократного захвата свободных электронов из зоны проводимости мелкими донорами.
  • D. Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Christen. Phys. Rev. B, 31, 7788 (1985)
  • Я.Ю. Аавиксоо, И.Я. Рейманд, В.В. Россин, В.В. Травников. Письма ЖЭТФ, 53 (7), 377 (1991)
  • Д.З. Гарбузов, В.Б. Халфин, М.К. Трукан, В.Г. Агафонов, А. Абдуллаев. ФТП, 12, 1368 (1978)
  • R. Dingle. Phys. Rev., 184, 788 (1969)
  • A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 68, 373 (1996)
  • К.С. Журавлев, А.М. Гилинский. Письма ЖЭТФ, 65 (1), 81 (1997)
  • А.М. Гилинский, К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.Т. Мошегов, А.И. Торопов. Тез. докл. 3-й Росс. конф. по физике полупроводников (М., 1997) с. 207
  • A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev. Collected Abstracts of the International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (Osaka, Japan, Aug. 23--27, 1999) p. 172
  • А.М. Гилинский, К.С. Журавлев. Тез. докл. 4-й Росс. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) с. 102
  • Э.И. Адирович. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов (М., Гос. изд-во / Техн.-теорет. лит., 1956)
  • В.В. Антонов-Рамановский. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1966)
  • G.M. Martin, A. Mittonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  • K.S. Zhuravlev, D.V. Petrov, Yu.B. Bolkhovityanov, N.S. Rudaja. Appl. Phys. Lett., 70, 3389 (1997)
  • C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 57, 6850 (1998)
  • Ю.М. Гальперин, И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, Д.А. Пристинский, И.Ю. Смирнов, А.И. Торопов. Тез. докл. 4-й Росс. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) с. 109
  • A. Wixforth, J. Scriba, M. Wassermeier, J.P. Kotthaus, G. Weimann, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 40, 7874 (1989)
  • C. Rocke, S. Zimmermann, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, G. Bohm. Phys. Rev. Lett., 78, 4099 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.