"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О природе полосы поглощения дивакансии 5560 см-1 в Si1-xGex
Помозов Ю.В.1, Соснин М.Г.1, Хируненко Л.И.1, Абросимов Н.В.2,3, Шрёдер В.3
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт роста кристаллов, Берлин, Германия
3Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 17 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Обнаружено, что в монокристаллах Si1-xGex в процессе облучения быстрыми электронами образуются два типа центров: дивакансии V2, характерные для кремния, и V2* --- комплексы дивакансий V2 с атомами германия (V2Ge), а полоса поглощения вблизи 5560 см-1 является суперпозицией двух полос поглощения, соответствующих этим центрам. При изохронном отжиге диффундирующие V2 взаимодействуют с атомами германия, приводя к дополнительному образованию V2*. Центры V*2 более термостабильны, чем V2, и температура их отжига повышается с увеличением содержания германия.
  1. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 138, A543 (1965)
  2. J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev., 138, A555 (1965)
  3. R.C. Young, J.C. Corelli. Phys. Rev. B, 5, 1455 (1972)
  4. L.J. Cheng, J.C. Corelli, J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev., 152, 761 (1966)
  5. B.G. Svensson, M. Willander. J. Appl. Phys., 62, 2758 (1987)
  6. Л.С. Смирнов. Вопросы радиационной технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1980) c. 20
  7. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981) с. 42
  8. L.J. Cheng, J. Lori. Phys. Rev., 171, 856 (1968)
  9. H.J. Stein. J. Appl. Phys., 45, 1954 (1974)
  10. E.V. Monakov, A.N. Larsen, P. Kringhf. J. Appl. Phys., 81, 1180 (1996)
  11. A.N. Larsen. Sol. St. Phenom., 69--70, 43 (1999)
  12. N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, V. Alex, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 166, 657 (1996)
  13. N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
  14. E.R. Johnson, S.M. Christian. Phys. Rev., 95, 560 (1954)
  15. Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, В.И. Яшник, Н.В. Абросимов, В. Шрёдер, М. Нёне. ФТП, 34, 1030 (2000)
  16. Y.H. Lee, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. Lett., 60 A, 55 (1977)
  17. J. Lennart Lindstrom, Bengt G. Svensson. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 45 (1986)
  18. G. Davies, E.C. Lightowlers, R.C. Newman, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
  19. P. Stallinga, P. Johannesen, S. Herstrom, K. Bonde Nielsen, B. Bech Nielsen, J.R. Byberg. Phys. Rev. B, 58, 3842 (1998)
  20. M. Fanciulli, J.R. Byberg. Phys. Rev. B, 61, 2657 (2000)
  21. A. Brelot, J. Charlemagne. Proc. Int. Conf. Rad. Effects in Semicond. (London--N.Y.--Paris, 1971) p. 161
  22. Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 21, 562 (1987)
  23. М.Г. Соснин, В.И. Шаховцов, В.Л. Шиндич. ФТП, 15, 786 (1981)
  24. B.G. Svensson, J. Svensson, J.L. Lindstrom, G. Davies, J.W. Corbett. Appl. Phys. Lett., 51, 2257 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.