"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Собственные и примесные дефекты в монокристаллах ZnSe : In, полученных методом свободного роста
Ваксман Ю.Ф.1, Ницук Ю.А.1, Пуртов Ю.Н.1, Шапкин П.В.2
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Исследованы спектры оптического поглощения, фотолюминесценция, эффект Холла в монокристаллах ZnSe : In. Установлено наличие электрически активных донорных центров InZn+, ответственных за примесное поглощение и электропроводность кристаллов. Показано, что компенсация проводимости в кристаллах ZnSe : In осуществляется вакансиями катионов. Доноры InZn+ и вакансии катионов образуют ассоциативные дефекты, ответственные за длинноволновую люминесценцию ZnSe : In. Высокая проводимость кристаллов (~ 5 Ом-1·см-1) достигается в результате отжига ZnSe : In в расплаве цинка, приводящего к экстракции катионных вакансий. Подвижность электронов в высокопроводящих кристаллах ограничена процессами рассеяния на LO-фононах и макродефектах, образующихся вследствие уменьшения растворимости индия в кристаллах при их отжиге в цинке.
  1. А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 49, 1916 (1985)
  2. Е.В. Марков, А.А. Давыдов, Изв. АН СССР. Неорг. матер., 7 (4), 575 (1971)
  3. Е.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 2 (10), 1755 (1975)
  4. Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 159, 181 (1996)
  5. Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 161, 51 (1996)
  6. Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 197, 449 (1999)
  7. J.C. Bouley, P. Blanconnier, A. Herman. J. Appl. Phys., 46 (8), 3549 (1975)
  8. Р. Балтрамеюнас, Ю. Вайткус, В. Нюнка. Литовский физический сборник (Вильнюс, Изд-во Лит. ун-та), 21, (8), 809 (1979)
  9. Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1980)
  10. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  11. Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич, К.Д. Сушкевич. ФТП, 14 (1), 31 (1980)
  12. Ю.Ф. Ваксман. ФТП, 29 (2), 346 (1995)
  13. V.V. Serdyuk, N.N. Korneva, Yu.F. Vaksman. Phys. St. Sol. (a), 91, 173 (1985)
  14. Ю.Ф. Ваксман, А.Н. Краснов. Фотоэлектроника (Одесса, Изд-во Одес. ун-та), N 6, 8 (1997)
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.