Вышедшие номера
Собственные и примесные дефекты в монокристаллах ZnSe : In, полученных методом свободного роста
Ваксман Ю.Ф.1, Ницук Ю.А.1, Пуртов Ю.Н.1, Шапкин П.В.2
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Исследованы спектры оптического поглощения, фотолюминесценция, эффект Холла в монокристаллах ZnSe : In. Установлено наличие электрически активных донорных центров InZn+, ответственных за примесное поглощение и электропроводность кристаллов. Показано, что компенсация проводимости в кристаллах ZnSe : In осуществляется вакансиями катионов. Доноры InZn+ и вакансии катионов образуют ассоциативные дефекты, ответственные за длинноволновую люминесценцию ZnSe : In. Высокая проводимость кристаллов (~ 5 Ом-1·см-1) достигается в результате отжига ZnSe : In в расплаве цинка, приводящего к экстракции катионных вакансий. Подвижность электронов в высокопроводящих кристаллах ограничена процессами рассеяния на LO-фононах и макродефектах, образующихся вследствие уменьшения растворимости индия в кристаллах при их отжиге в цинке.