"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Об особенностях электрофизических свойств гетероструктур CdxHg1-xTe/CdZnTe
Белов А.Г.1, Белогорохов А.И.1, Лакеенков В.М.1
1Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Проанализированы некоторые особенности электрофизических свойств гетероструктур CdxHg1-xTe/CdZnTe p-типа проводимости при температуре жидкого азота. Показано, что принятая теоретическая модель удовлетворительно описывает полученные экспериментальные данные. Оценены погрешности определения концентрации и подвижности тяжелых дырок, возникающие, если не учитывать вклады в электрофизические параметры от электронов и легких дырок.
  1. L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
  2. А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, А.Г. Белов. ФТП, 24, 923 (1990)
  3. А.И. Белогорохов, А.Г. Белов, Е.А. Виноградов, Е.П. Рашевская. Препринт N 156 ФИАН СССР (М., 1988)
  4. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
  5. G.A. Shneider. Phys. St. Sol. (a), 31, K53 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.