Вышедшие номера
Роль свинца при выращивании твердых растворов Ga1-XInXAsYSb1-Y методом жидкофазной эпитаксии
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Куницына Е.В.1, Пархоменко Я.А.1, Васюков Д.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Впервые проведено исследование электрофизических свойств твердых растворов Ga1-XInXAsYSb1-Y (X=0.14-0.27), выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов. Установлено существование трех акцепторных уровней: мелкого уровня с энергией активацией EA1~ 0.008-0.015 эВ и двух глубоких EA2~ 0.024-0.033 эВ и EA3~ 0.07 эВ. Показано, что использование свинца позволяет получить нелегированные твердые растворы с малым числом дефектов и примесей и высокой подвижностью.