"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Состояния на границах и центры с глубокими уровнями в структурах кремний-на-изоляторе
Антонова И.В.1, Стано Й.2, Николаев Д.В.1, Наумова О.В.1, Попов В.П.1, Скуратов В.А.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Методом емкостной спектроскопии проведено исследование глубоких уровней в отсеченном слое кремния, а также уровней ловушек --- как на границе Si / SiO2, полученной прямым сращиванием, так и на границе Si(подложка) / <термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе, созданных методом сращивания пластин кремния и расслоения одной из пластин путем имплантации водорода. Показано, что граница Si / <термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет непрерывный спектр состояний ловушек, близкий к случаю классических МДП структур. Распределение состояний в верхней половине запрещенной зоны для сращенной границы Si / SiO2 характеризуется относительно узкой полосой состояний в пределах от Ec-0.17 эВ до Ec-0.36 эВ. Кроме того, в отсеченном слое кремния наблюдаются два центра с уровнями Ec-0.39 эВ и Ec-0.58 эВ, которые сосредоточены в приповерхностном слое толщиной до 0.21 мкм и предположительно связаны с остаточными постимплантационными дефектами.
  1. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  2. Y.A. Li, R.W. Bower. Japan. J. Appl. Phys., 39, 275 (2000)
  3. V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, E.P. Neustroev, A.K. Gutakovskii, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon-on-Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment et al. (Kluwer Academic Publisher, Netherlands, 2000) p. 47
  4. E.V. Astrova, V.A. Kozlov, A.A. Lebedev, V.B. Voronkov. Sol. St. Phenomena, 69, 70, 539 (1999)
  5. S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and device (Kluwer Academic Publishers, Boston / Dordrecht / London, 1995)
  6. И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34, 1095 (2000)
  7. J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
  8. K. Nagai, T. Sekigawa, Y. Hayashi. Sol. St. Electron., 28, 789 (1985)
  9. T. Katsube, K. Kakimoto, T. Ikoma. J. Appl. Phys., 52, 3504 (1981)
  10. K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. a. Tech., 132, 2201 (1985)
  11. А.А. Лебедев, В. Экке. ФТП, 19, 1087 (1985)
  12. L.C. Kimerling. In: Point and Extended Defects in Semiconductors, ed. by G. Benedek, A. Cavallini, and W. Schroter. NATO ASI Series (N.Y., 1988) v. 202
  13. N.A. Yarykin, E.B. Yakimov, S.V. Koveshnikov, O.V. Feklisova. Papers Presented at Fifht Intern. Conf. on Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors (Moscow, Russia, 1986) p. 209
  14. И.В. Антонова, Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, С.С. Шаймеев. ФТП, 30, 2017 (1996)
  15. H.S. Kang, C.G. Ahn, B.K. Kang, Y.K. Kwon. J. Electrochem. Soc., 145, 3581 (1998)
  16. P.K. McLarty, J.W. Cole, K.F. Galloway, D.E. Ioannou. Appl. Phys. Lett., 51, 1078 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.