"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Шенгуров В.Г.1, Светлов С.П.1, Чалков В.Ю.1, Максимов Г.А.1, Красильник З.Ф.2, Андреев Б.А.2, Степихова М.В.2, Шенгуров Д.В.2, Palmetshofer L.1, Ellmer H.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимирующего кремниевого источника. Для выращивания легированных эрбием кремниевых слоев мы использовали два вида источников примеси: 1) пластины кремния, легированного эрбием, как источник потоков атомов Er и Si; 2) пластины металлического эрбия в качестве источника паров примеси в сочетании с сублимирующим кремниевым источником. При использовании газообразного кислорода для солегирования эрбием и кислородом in situ достигнуты концентрации в области от 1018 до 1020 см-3. Когда в камере роста находится кислород, то эффективность захвата эрбия слоем существенно возрастает. При окислении подавляется и поверхностная сегрегация эрбия.
  1. Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  2. Y. ho Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys., 70, 1153 (1991)
  3. A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
  4. Y.L. Rogers, P.S. Andry, W.J. Varhue et al. J. Appl. Phys., 78, 6241 (1995)
  5. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, J. Haude, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
  6. H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman et al. Semicond. Sci. Technol., 8, 236 (1993)
  7. R. Serna, M. Lohmeier, P.M. Zagviin, E. Vlieg, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 66, 1385 (1995)
  8. K. Miyashita, Y. Shiraki, D.C. Houdhton, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67, 235 (1995)
  9. J. Stimmer, A. Reittinger, G. Abstreiter, H. Holrbrecher, Ch. Buchal. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 15 (1995)
  10. А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильников, Ю.А. Карпов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Е.А. Ускова, В.Б. Шмагин, H. Ellmer, L. Palmetshofer, K. Pilplits, H. Hutter. ФТП, 33 (2), 156 (1999)
  11. D.J. Eaglsham, J. Michel, E.A. Fizgerald et al. Appl. Phys., 58, 2797 (1991)
  12. В.В. Постников, М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. ДАН СССР, 175, 817 (1967)
  13. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, А.Ю. Андреев, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. Кристаллография, 31, 1180 (1986)
  14. В.Г. Шенгуров. Поверхность. Физика, химия, механика. 10--11, 44 (1994)
  15. В.Н. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19, 346 (1974)
  16. С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ, N 4, 141 (2000)
  17. U. Koing, E. Kasper, Y.J. Herzog. J. Cryst. Growth, 52, 151 (1981)
  18. J.J. Lander, J. Morrison. J. Appl. Phys., 33, 2098 (1962)
  19. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)
  20. M. Matsuoka, S. Tohno. J. Appl. Phys., 76, 275 (1995)
  21. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Е.А. Ускова, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова. Изв. РАН. Сер. физ., 64, 353 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.