"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Возбуждение поверхностных акустических волн в кристаллах p-CdTe при воздействии импульсным лазерным излучением
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Кузнецов Э.И.1, Ломовцев А.В.1, Мозоль П.Е.1, Смирнов А.Б.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 13 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства, а также дислокационная структура кристаллов p-CdTe до и после облучения импульсным лазерным излучением. Обнаружено уменьшение величины темнового тока и рост плотности дислокаций не только в облученной, но и в защищенной от лазерного излучения частях кристалла. Изменение характеристик кристаллов объясняется влиянием поверхностной акустической волны, генерированной наносекундным лазерным излучением.
  1. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, В.А. Гнатюк, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 23, 56 (1993)
  2. А. Байдуллаева, Б.М. Булах, Б.К. Даулетмуратов, Б.Р. Джумаев, Н.Е. Корсунская, П.Е. Мозоль, Г. Гарягдыев. ФТП, 26, 801 (1992)
  3. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Ю.В. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 30, 1438 (1996)
  4. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Б.Л. Горковенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль. ФТП, 34, 443 (2000)
  5. Б.М. Булах, С.М. Красикова. Известия АН СССР. Неорг. матер., 9, 1112 (1973)
  6. Б.Р. Джумаев, Г. Гарягдыев, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская. Тез. докл. Всес. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент, 1989) с. 126
  7. А.А. Карабутов. УФН, 47, 605 (1985)
  8. C.K.N. Patel, A.C. Tam. Rev. Mod. Phys., 53, 517 (1981)
  9. D. Schneider, R. Hammer, M. Jurish. Semicond. Sci. Technol., 14, 93 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.