Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 10 » Статья стр. 1266
<<<
Микрорезонаторы Фабри--Перо на основе a-Si : H/a-SiOx : H с активным слоем из легированного эрбием гидрогенизированного аморфного кремния
Голубев В.Г.1, Дукин А.А.1, Медведев А.В.1, Певцов А.Б.1, Селькин А.В.1,2, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Instituto de Ciencias, BUAP, Puebla, Pue. Mexico
Поступила в редакцию: 19 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
PDF версия
Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены микрорезонаторы Фабри-Перо на длину волны 1.5 мкм на основе a-Si : H и a-SiOx : H. Распределенные брэгговские отражатели и активный слой выращены в едином технологическом цикле. Активный полуволновый слой легирован эрбием в процессе роста с помощью металлорганического соединения. За счет высокого оптического контраста достигнута большая добротность микрорезонатора (Q=355) при 3 периодах в распределенных брэгговских отражателях. При этом интенсивность фотолюминесценции эрбия из микрорезонатора оказывается на 2 порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения эрбия из идентичного слоя a-Si : H без распределенных брэгговских отражателей. Проанализированы спектры пропускания, отражения и фотолюминесценции. Установлено, что спектральная форма линии фотолюминесценции эрбия (переход 4I13/2-> 4I15/2) из микрорезонатора практически совпадает с формой резонансного пика его спектра пропускания. Выполнены теоретические расчеты, позволившие полностью описать наблюдаемые экспериментальные спектры.
  1. Amorphous and heterogeneous silicon thin films --- 2000, ed. by R.W. Collins, H.M. Branz, S. Cuha, H. Okamoto, M. Stutzmann (Warrendale, Materials Research Society, 2000) [Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 609 (2000)]
  2. S.M. Paasche, T. Toyama, H. Okamoto, Y. Hamakawa. IEEE Trans. El. Dev., 36, 2895 (1989)
  3. A.B. Pevtsov, A.V. Zherzdev, N.A. Feoktistov, G. Juska, T. Muschik, R. Schwarz. Intern. J. Electron., 78, 289 (1995)
  4. Semiconductor quantum optoelectronics: from quantum physics to smart devices, ed. by A. Miller, M. Ebrahimzadeh, D.M. Finlayson (Bristol--Philadelphia, Institute of Physics Publishing, 1999) [ Proc. 50th Scottish Universities Summer School in Physics (St. Andrews, 1998)]
  5. E.F. Schubert, A.M. Vredenberg, N.E.J. Hunt, Y.H. Wong, P.C. Becker, J.M. Poate, D.C. Jacobson, L.C. Feldman, G.J. Zydzik. Appl. Phys. Lett., 61, 1381 (1992)
  6. A.M. Vredenberg, N.E.J. Hunt, E.F. Schubert, D.C. Jacobson, J.M. Poate, G.J. Zydzik. Phys. Rev. Lett., 71, 517 (1993)
  7. E.F. Schubert, N.E.J. Hunt, A.M. Vredenberg, T.D. Harris, J.M. Poate, D.C. Jacobson, Y.H. Wong, G.J. Zydzik. Appl. Phys. Lett., 63, 2603 (1993)
  8. M. Lipson, T.D. Chen, D.R. Lim, A. Luan, A. Agarwal, J. Michel, K. Wada, L.C. Kimerling. J. Luminesc., 87--89, 323 (2000)
  9. M. Lipson, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 77, 1150 (2000)
  10. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  11. J.H. Shin, R. Serna, G.N. Hoven, A. Polman, W.G.J.H.M. Sark, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett., 68, 997 (1996)
  12. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цэндин, И.Н. Яссиевич. ФТП, 33, 671 (1999)
  13. A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. Appl. Phys. Lett., 77, 3009 (2000)
  14. N.A. Feoktistov, N.L. Ivanova, L.E. Morozova, Yu.A. Nikulin, A.P. Onokhov, A.B. Pevtsov, R. Schwarz. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 420, 189 (1996)
  15. В.Б. Воронков, В.Г. Голубев, Н.И. Горшков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Д.Н. Суглобов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 40, 1433 (1998)
  16. N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 507, 255 (1998)
  17. А. Ярив, П. Юх. Оптические волны в кристаллах (М., Мир, 1987) [Пер. с англ.: А. Yariv, P. Yeh. Optical waves in crystals (N.Y., Wiley, 1984)]
  18. G. Panzarini, L.C. Andreani, A. Armitage, D. Baxter, M.S. Skolnick, V.N. Astratov, J.S. Roberts, A.V. Kavokin, M.R. Vladimirova, M.A. Kaliteevski. ФТТ, 41, 1337 (1999)
  19. R. Ram, D. Babic, R. York, J. Bowers. IEEE J. Quant. Electron., 31, 399 (1995)
  20. P. Yeh. Optical waves in layered media (N.Y., Wiley, 1988)
  21. В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 41, 153 (1999)
  22. Y. Xu, R.K. Lee, A. Yariv. Phys. Rev. A, 61, 33 807 (2000)
  23. Confined Electrons and Photons: New Physics and Applications, ed. by E. Burstein, C. Weisbuch [NATO Advanced Study Institute, ser. B, (N.Y.--London, Plenum Press) 340 (1995)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme