"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0=<q x=<q 0.16)
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Исследованы фотолюминесценция эпитаксиальных слоев твердого раствора InGaxAs в диапазоне составов 0=<q x=<q 0.16, полученных жидкофазной эпитаксией на подложках InAs (111), и электролюминесценция p-n-переходов на их основе в интервале температур 77--450 K. Показано, что, несмотря на отрицательное несоответствие периодов решетки эпитаксиального слоя и подложки, излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях определяется прямыми оптическими переходами, обеспечивающими высокий внутренний квантовый выход люминесценции (6%, 295 K).
  1. Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, Ю.Ю. Билинец. ФТП, 21 (6), 1079 (1987)
  2. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Н.М. Стусь. ФТП, 23 (4), 592 (1989)
  3. N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Cryst. Properties and Preparation, 12, 243 (1987)
  4. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 102 (2000)
  5. A. Mooradian, H.Y. Fan. Phys. Rev., 148 (2), 875 (1996)
  6. G.B. Stringfellow, P.E. Greene. J. Electrochem. Soc., 118 (5), 805 (1971)
  7. O. Madelung. Physics of III--V Compounds (John Wiley \& Sons, N.Y.--London--Sydney, 1964)
  8. M.G. Astles, O.D. Dosse, A.J. Machelan, P.J. Wright. J. Cryst. Growth, 54 (3), 485 (1981)
  9. Z.M. Fang, K.J. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67 (11), 7034 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.