Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10956
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
Распределение количества просмотров по годам:
1001720
937614
901493
803896
693227
661660
606831
539799
647974
806405
800320
738074
738869
741709
718718
743760
769039
785378
687177
722234
676621
858278
870976
840374
812162
869955
881941
841204
812542
809004
716953
608981
441304
307730
201575
76453
22748
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
30
Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As2Se3
29
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
29
К вопросу о гальваномагнитных эффектах в слабо легированном бесщелевом полупроводнике p-Hg1-xCdxTe
29
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
28
Проводимость по локальной зоне в сплавах Pb1-xSnxSe, облученных электронами
27
Термическая энергия ионизации мелких доноров и акцепторов в кристаллах CdTe
27
N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках
27
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
26
N-образность ВАХ кремниевых p-n-переходов в сильных СВЧ полях
26
Релаксация фазы и локализация электронов в n-GaAs и n-InP вблизи перехода металл--диэлектрик
26
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
26
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
26
Бесконтактное измерение концентрации и подвижности свободных носителей заряда в полупроводниках
26
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
26
Модификация оптических свойств InAs под действием импульсного лазерного облучения
26
Поведение примесей бора и фосфора в кремнии при облучении нейтронами и последующих отжигах
25
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
25
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
25
Обратный ток и фототок p-n-перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2928
Именной указатель
2556
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2473
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2361
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2346
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2341
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2325
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2299
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2292
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2262
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2254
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2238
Предметный указатель
2227
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2220
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2196
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2190
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2188
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2186
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2175
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2169
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2167
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2166
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2159
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2156
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2154
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2151
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2149
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2146
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2142
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2132
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2127
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2126
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2125
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2125
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2124
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2116
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
2108
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2108
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2105
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
2101
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2098
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
2097
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2095
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2094
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2093
Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
2090
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
2086
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
2085
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
2083
Исследование свойств пленок a-Si : H, имплантированных B+ и BF+2
2072

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme