Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10966
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
10
Распределение количества просмотров по годам:
1031697
966377
929579
828056
713703
681636
625580
556341
666794
827594
820660
757675
758254
760562
737276
763580
788468
805726
705997
741670
695129
880843
893133
861976
833475
891894
904052
861632
832749
833220
741402
632237
462716
326358
218060
86538
29684
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
68
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
18

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов
29
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом А. В. Степанова
28
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
28
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
28
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
27
Неомические эффекты в ВЧ прыжковой проводимости
26
Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа
26
Влияние промежуточного диэлектрического слоя на фототок в поверхностно-барьерных структурах металл--n-CdxHg1-xTe
26
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
24
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
24
ЭПР связанных дырок в GaAs<Mn>
24
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
24
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
23
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
23
Захват дырок на отрицательно заряженные атомы бора в легированном слабо компенсированном кремнии при низких температурах
23
Подавление светом шума 1/f в кремнии
23
Междузонное тепловое излучение полупроводников
23
Аннотации депонированных статей
22
Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe<Se>
22
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
22
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3000
Именной указатель
2614
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2536
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2423
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2403
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2403
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2382
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2372
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2350
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2316
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2309
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2296
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2282
Предметный указатель
2275
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2259
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2254
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2246
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2242
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2241
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2237
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2231
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2221
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2221
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2216
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2215
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2213
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2209
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2208
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2201
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2197
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2190
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2190
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2189
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2187
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2181
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2181
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2174
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2167
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
2166
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2163
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
2160
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2160
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
2156
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2148
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2147
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
2146
Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
2144
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
2142
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
2139
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
2137

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme