Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1268673
1179457
1135231
1013369
865991
831354
759721
676443
803756
975364
967533
900943
897972
892450
871724
904514
927402
955226
843659
888521
832246
1047435
1061415
1031783
996586
1080311
1086452
1045323
1000307
1031019
936597
820301
628077
475174
350534
172060
103684
28479
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
34
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
33
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
33
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
32
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
31
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
31
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
31
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
31
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
30
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
30
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
30
Методика лазерного катодопоглощения
29
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
28
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
28
Аннотации депонированных статей
28
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
27
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
27
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
27
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
27
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3527
Именной указатель
3085
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3047
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2963
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2937
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2904
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2888
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2860
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2852
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2849
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2843
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2840
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2826
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2816
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2804
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2792
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2785
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2784
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2774
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2771
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2750
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2747
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2741
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2733
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2732
Предметный указатель
2730
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2725
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2698
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2687
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2687
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2685
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2674
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2669
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2669
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2667
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2666
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2664
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2660
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2658
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2652
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2652
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2647
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2642
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2642
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2641
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2639
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2638
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2634
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2632
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2628
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Кернер Б.С.
2
Токранов В.Е.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme