Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11044
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
88
Распределение количества просмотров по годам:
1246606
1158698
1115947
995527
851574
817537
747417
665614
790785
960214
950085
884928
882642
877419
856998
888950
912292
938656
828633
872768
817555
1029932
1042407
1013014
981351
1064438
1070890
1028153
984292
1009564
916881
800674
611544
460429
337380
164481
97818
20832
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
422
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
72

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Неравновесные электроны и фононы в полупроводниках конечных размеров в электрических полях
75
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
62
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
59
Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках n-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций
59
К теории эффекта Холла в сетке инверсионных каналов
58
Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения
57
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
56
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
56
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
56
Исследование свойств пленок a-Si : H, имплантированных B+ и BF+2
56
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
56
Визуализация потенциального поля при возбуждении рекомбинационных волн в кремнии
54
Особенности явления самокомпенсации в РbТе<Tl, Рbизб>
54
Теория мезоскопических флуктуаций сопротивления проводников со сложной геометрией
53
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
53
Влияние быстродиффундирующих примесей на малоугловое рассеяние света в кремнии
53
Особенности локализации носителей в обогащенном слое на поверхности узкощелевого полупроводника
53
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
52
О причине аномалий спин-решеточной релаксации и низкотемпературной теплоемкости в аморфном кремнии и германии
52
Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника
52
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3485
Именной указатель
3034
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2994
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2921
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2879
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2862
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2821
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2814
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2786
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2785
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2785
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2779
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2777
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2772
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2756
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2746
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2729
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2717
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2714
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2709
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2702
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2699
Предметный указатель
2687
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2685
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2681
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2664
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2662
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2651
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2644
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2639
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2638
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2633
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2623
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2617
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2611
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2608
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2608
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2607
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2603
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2598
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2597
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2594
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2594
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2594
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2584
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2584
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2582
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2581
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2580
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2577
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme