Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11044
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
88
Распределение количества просмотров по годам:
1241317
1154124
1112549
992499
849056
814987
745369
663729
788742
957039
947484
881775
879531
874676
854407
887250
910441
936437
826727
870693
815631
1027724
1040288
1011015
979141
1061559
1067370
1024458
981027
1005544
913065
796669
608080
457321
335161
163058
96585
23826
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
422
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
72

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Неравновесные электроны и фононы в полупроводниках конечных размеров в электрических полях
79
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
58
К теории эффекта Холла в сетке инверсионных каналов
57
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
55
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
55
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
54
О существовании медленных поверхностных волн геликонного типа
54
Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках n-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций
53
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
53
Визуализация потенциального поля при возбуждении рекомбинационных волн в кремнии
52
Теория мезоскопических флуктуаций сопротивления проводников со сложной геометрией
51
Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения
51
Исследование свойств пленок a-Si : H, имплантированных B+ и BF+2
50
Особенности явления самокомпенсации в РbТе<Tl, Рbизб>
50
Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме и рекомбинация на границах в пленках Рb0.8Sn0.2Te на BaF2
50
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
50
Усиление малого сигнала в возбужденном n-Ge(Ni) в условиях возникновения умножения периода
49
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
48
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
48
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
48
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3479
Именной указатель
3029
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2990
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2915
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2876
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2855
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2811
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2810
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2780
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2778
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2777
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2773
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2773
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2765
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2748
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2741
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2724
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2711
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2709
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2700
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2698
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2695
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2681
Предметный указатель
2679
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2675
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2657
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2653
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2645
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2638
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2635
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2633
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2626
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2618
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2611
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2608
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2601
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2599
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2598
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2596
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2596
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2593
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2591
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2588
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2587
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2583
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2578
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2575
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2572
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2572
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2571
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Левин Е.И.
2
Малевич В.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Стусь Н.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Маркевич В.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Диамант В.М.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme