Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11073
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
19
Распределение количества просмотров по годам:
1360632
1261967
1214570
1086239
926113
888998
810616
725333
857669
1040858
1033768
969265
960959
959781
935226
969648
990452
1022349
901246
951679
891112
1118573
1130094
1108454
1068312
1153451
1163296
1117423
1078284
1118507
1019500
896481
692740
532052
401436
202524
127055
47789
2636
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
52
Влияние интенсивности облучения электронами на накопление A-центров в области пространственного заряда в кремнии
43
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
40
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
39
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
38
Оптические свойства двойных дефектов в GaAs : Cr
36
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
36
О механизмах рекомбинации носителей тока в p-InAs1-x-ySbxPy
36
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
34
Модификация оптических свойств InAs под действием импульсного лазерного облучения
33
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
33
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4
33
Распространение электромагнитных волн вдоль слоев периодической структуры полупроводник--диэлектрик с учетом гиротропии
33
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
33
Критика и библиография
33
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
32
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
32
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
32
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
31
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
30
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3716
Именной указатель
3287
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3259
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3205
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3170
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3115
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3110
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3098
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3073
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3068
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3041
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3033
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3020
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3016
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3015
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3003
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3001
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3000
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2999
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2998
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2978
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2978
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2969
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2929
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2912
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2910
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2903
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2897
Предметный указатель
2896
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2892
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2887
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2883
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2882
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2880
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2875
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2872
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2866
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2863
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2861
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2860
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2857
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2856
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2845
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2840
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2838
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2838
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2836
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2833
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2832
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
2831
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Гафийчук В.В.
2
Засавицкий И.И.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme