Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1270077
1180758
1136600
1014614
867033
832346
760535
677239
804567
976561
968912
902297
899257
893673
873005
905715
928531
956416
844869
889712
833369
1048849
1062804
1033141
997758
1081592
1087662
1046624
1001522
1032608
937918
821646
629072
476099
351368
172525
104062
28957
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
37
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
33
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
32
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
30
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
30
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
29
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
29
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
29
Методика лазерного катодопоглощения
29
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
28
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
28
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
28
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
27
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
27
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
27
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
26
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
25
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
25
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
25
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3531
Именной указатель
3087
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3051
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2965
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2940
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2905
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2895
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2865
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2856
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2854
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2847
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2844
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2830
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2820
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2812
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2796
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2789
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2788
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2777
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2776
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2756
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2752
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2747
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2736
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2735
Предметный указатель
2732
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2730
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2702
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2691
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2690
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2689
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2683
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2678
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2673
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2671
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2669
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2668
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2667
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2663
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2658
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2656
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2650
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2647
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2645
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2643
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2642
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2642
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2637
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2637
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2629
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Емельяненко О.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme