Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1399716
1297073
1246323
1115060
949102
912522
832163
744591
879983
1065613
1057390
991867
987370
981211
956450
992420
1012716
1044590
920955
975148
911625
1142692
1155277
1134726
1092036
1179357
1192883
1143031
1107423
1152675
1053776
931542
718959
556411
421740
215026
138370
56797
7471
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
36

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Определение параметров рекомбинационных центров посредством дифференциального анализа температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда
22
Новые книги по полупроводникам
21
О природе дефектов с уровнем Ec-0.18 эВ в кремнии
21
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
21
Аннотации депонированных статей
20
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
20
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
20
Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое
20
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
20
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
20
Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs
19
Механизм низкотемпературного стимулированного излучения света в твердых растворах AIIBVI
19
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
19
Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs
19
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
19
Внутризонное поглощение в размерно-квантовых полупроводниковых средах
19
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
19
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
19
Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия
19
Захват неравновесных носителей и кинетика фотоотклика в p-n-переходах
19
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3795
Именной указатель
3389
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3352
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3298
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3259
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3201
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3195
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3186
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3157
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3133
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3126
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3115
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3113
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3105
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3097
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3092
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3082
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3074
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3074
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3068
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3054
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3053
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3046
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3012
Предметный указатель
3003
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2999
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2999
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2992
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
2991
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2988
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2979
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2963
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2960
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2960
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2959
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2953
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2953
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2952
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2948
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2945
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2944
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2933
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2925
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2925
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2921
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2919
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2918
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2915
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2913
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2913
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Ясковец И.И.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Додин Е.П.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme