Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1273425
1183975
1139679
1017425
869623
834769
762432
679124
806691
979321
971657
904969
901686
895972
875446
908332
931038
959073
847419
892400
835816
1051765
1065844
1035868
1000225
1084569
1090327
1049347
1003762
1035825
940571
824175
631263
478034
353375
173813
105117
30204
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
32
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
31
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
30
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
30
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
27
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
27
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
26
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
26
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
26
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
26
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
25
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
25
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
25
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
25
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
24
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
23
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
23
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
23
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
22
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
22
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3536
Именной указатель
3094
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3060
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2975
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2951
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2908
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2904
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2871
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2867
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2863
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2855
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2851
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2840
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2828
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2816
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2809
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2802
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2800
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2788
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2787
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2773
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2762
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2759
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2742
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2741
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2737
Предметный указатель
2736
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2707
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2699
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2698
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2696
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2693
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2690
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2683
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2679
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2678
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2675
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2673
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2672
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2666
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2659
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2655
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2651
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2650
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2648
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2648
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2647
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2645
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2644
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2640
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Толстобров М.Г.
2
Асрян Л.В.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme