Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11090
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
36
Распределение количества просмотров по годам:
1410780
1306458
1255690
1123261
956090
919164
838511
750462
886495
1072725
1064763
999244
994074
988410
963049
999429
1019633
1051715
928363
982565
917765
1149916
1162904
1141837
1099219
1187140
1200790
1150872
1115976
1163579
1063396
940409
726006
563871
429079
219261
141901
59505
6861
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
218
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
38

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
28
Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe-GaAs
26
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
25
Обратный ток и фототок p-n-перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров
25
Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием
24
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
24
Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа
24
Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур
24
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
23
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
23
Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
23
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
23
Слабая локализация и спин-орбитальное взаимодействие в твердом растворе GaAs0.94Sb0.06 p-типа
22
Низкотемпературные особенности явлений переноса в n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
22
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
22
О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
22
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
22
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
22
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-Ge1-xSix
21
К теории эффекта Холла в сетке инверсионных каналов
21
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3825
Именной указатель
3416
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3385
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3324
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3284
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3228
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3224
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3217
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3185
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3166
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3154
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3143
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3136
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3126
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3115
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3110
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3107
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3102
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3102
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3090
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3083
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3073
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3068
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3039
Предметный указатель
3028
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
3021
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
3020
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
3017
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
3012
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
3010
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
3002
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2991
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2983
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2982
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2982
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2981
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2974
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2969
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2966
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2965
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2965
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2955
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2955
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2953
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2950
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2941
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2937
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2936
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2936
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2935
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme