Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1285994
1194335
1150450
1027832
878120
842367
769192
685553
814270
990585
983064
916245
912373
906236
885553
918420
941031
970002
857136
902709
845370
1063189
1077015
1048220
1011400
1096330
1102317
1061477
1012902
1047221
951658
835211
640400
485711
359729
177347
107887
31782
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
29
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
28
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
27
Теорема "площадей" и межподзонное бесстолкновительное поглощение ультракоротких импульсов света в кубическом полупроводнике
27
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
26
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
25
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
25
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
25
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
25
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
25
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
24
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
24
Распад твердого раствора Si<Mn> при всестороннем гидростатическом сжатии
24
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
24
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
24
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
23
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
23
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
23
Излучательная рекомбинация халькогенидов кадмия, индуцированная низкотемпературной пластической деформацией
23
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
23
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3556
Именной указатель
3116
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3092
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3000
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2986
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2942
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2928
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2905
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2904
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2894
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2890
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2876
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2861
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2856
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2839
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2837
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2837
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2836
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2829
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2827
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2805
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2800
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2795
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2761
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2757
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2756
Предметный указатель
2754
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2733
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2729
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2726
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2723
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2720
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2720
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2716
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2711
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2709
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2706
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2701
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2700
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2692
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2686
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2686
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2681
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2679
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2678
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2678
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2676
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2676
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2672
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2671
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme