Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11013
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
57
Распределение количества просмотров по годам:
1149891
1075300
1037077
922616
794123
759316
696525
619257
739577
904559
894193
831093
830722
829024
808350
842074
863707
887314
782079
823808
772847
975650
987768
955864
927602
993597
1004459
956952
925312
938332
848150
734007
553657
408443
288263
132507
69868
8495
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
292
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
61

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Циклотронная акустоэлектронная генерация в n-InSb в "бесстолкновительном" режиме взаимодействия
49
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
49
Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника
48
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
47
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
47
Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца
46
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа AIVBVI
46
Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии
46
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
45
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
44
Недиссипативные термомагнитные явления в полупроводниковых сверхрешетках в квантующем магнитном поле
44
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
44
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
43
Определение характерных времен формирования неоднородного профиля вакансионных дефектов в кремнии у границы раздела под действием электрического поля
43
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
43
Фотоиндуцированные метастабильные состояния в a-SixC1-x : H
42
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
42
Пьезосопротивление облученного германия
42
Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры
42
Методика лазерного катодопоглощения
42
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3249
Именной указатель
2823
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2785
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2736
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2678
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2653
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2653
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2607
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2606
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2603
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2582
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2548
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2548
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2547
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2545
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2515
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2512
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2506
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2501
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2495
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2495
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2487
Предметный указатель
2484
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2471
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2471
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2469
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2467
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2448
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2436
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2434
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2433
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2432
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2431
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2428
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2425
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2408
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2407
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2406
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2403
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2401
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2398
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2396
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2388
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2388
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2387
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2386
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
2385
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2384
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
2380
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
2380
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Куликов Г.С.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme