Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11023
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
67
Распределение количества просмотров по годам:
1202850
1124581
1083303
964594
827748
792733
726096
646742
769712
937586
926660
862433
860984
857397
836816
869338
891469
916643
808354
851810
798395
1006725
1018993
987864
958613
1033615
1040106
997536
958736
978436
887881
771605
586568
437582
316677
151797
86565
16024
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
60
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
48
Идентификация пространственной локализации пограничных состояний в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора
40
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
39
Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному
38
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
38
Подавление динамического эффекта Бурштейна--Мосса оже-разогревом и безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP
38
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
38
Сдвиговый фотогальванический эффект в полупроводниках со сверхрешеткой без центра инверсии
38
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
37
О причине аномалий спин-решеточной релаксации и низкотемпературной теплоемкости в аморфном кремнии и германии
37
Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного полуизолирующего GaAs при термообработке
37
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
37
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
36
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
36
Резонансные состояния, связанные с вакансиями халькогена, в электронном сульфиде свинца
36
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
36
Предметный указатель
36
Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)
36
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
36
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3384
Именной указатель
2932
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2913
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2840
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2786
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2773
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2744
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2715
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2709
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2698
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2696
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2694
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2682
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2679
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2666
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2657
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2626
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2620
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2611
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2606
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2602
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2602
Предметный указатель
2598
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2594
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2576
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2571
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2570
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2556
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2552
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2541
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2539
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2537
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2532
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2532
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2531
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2527
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2517
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2512
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2505
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2505
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2502
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2496
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2494
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2493
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2493
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2492
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2491
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2491
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2486
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2483
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Куликов Г.С.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme