Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1177702
1100355
1061040
943267
811151
776419
711226
632871
754869
920769
909883
846295
845480
843047
822504
855099
876810
901191
794991
837447
785406
990732
1002848
971308
943040
1011270
1021702
974986
941127
958561
868619
753038
570115
422482
300535
140723
76397
11379
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Аннотации депонированных статей
46
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
45
Селективный захват межузельных атомов углерода в облученном кремнии
43
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
43
N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках
42
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
41
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
40
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
39
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
39
Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
38
Критика и библиография
38
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
38
Определение параметров рекомбинационных центров посредством дифференциального анализа температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда
38
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
38
Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах
37
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
36
Особенности осцилляций Шубникова-де--Гааза в Mn0.11Hg0.89Te
36
К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника в неоднородном магнитном поле
36
Диффузия радиационных дефектов из области упругого торможения ионов фосфора в кремнии
36
Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом
36
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3319
Именной указатель
2880
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2859
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2789
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2732
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2714
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2707
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2657
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2656
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2650
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2633
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2628
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2628
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2612
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2602
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2597
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2563
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2562
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2557
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2555
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2550
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2547
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2545
Предметный указатель
2543
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2527
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2515
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2513
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2500
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2496
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2494
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2489
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2488
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2485
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2484
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2473
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2473
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2467
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2463
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2459
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2453
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2453
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2452
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2448
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2447
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2445
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2443
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2441
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2436
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2435
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2433
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Левин Е.И.
2
Малевич В.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Стусь Н.М.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Маркевич В.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme