Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1269799
1180485
1136297
1014378
866794
832144
760363
677078
804383
976228
968447
901900
898807
893301
872516
905336
928168
956052
844504
889350
833044
1048470
1062371
1032737
997420
1081195
1087315
1046284
1001235
1032153
937646
821297
628834
475873
351186
172419
103973
28852
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
35
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
32
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
31
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
30
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
30
Методика лазерного катодопоглощения
29
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
29
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
29
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
29
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
29
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
28
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
28
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
27
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
27
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
27
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
27
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
26
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
26
Аннотации депонированных статей
26
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3531
Именной указатель
3086
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3050
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2965
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2940
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2905
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2895
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2864
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2856
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2853
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2847
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2844
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2829
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2819
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2808
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2796
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2789
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2788
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2776
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2776
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2755
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2752
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2747
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2736
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2734
Предметный указатель
2731
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2730
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2702
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2691
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2689
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2688
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2681
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2675
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2671
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2670
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2669
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2668
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2666
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2661
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2657
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2654
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2650
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2644
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2644
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2643
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2642
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2641
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2637
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2637
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2629
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme