Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1305822
1212637
1166966
1043303
891723
854352
779859
695237
825979
1006041
999243
932968
927942
921814
900985
933737
955860
986526
871385
918017
859309
1080793
1094043
1070296
1030795
1113991
1120510
1080222
1031527
1064223
967949
850538
654768
498026
370923
183874
112836
36430
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
91

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
38
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
35
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
34
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
33
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
33
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
32
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
31
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
30
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
30
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
29
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
29
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
29
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
29
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
28
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
28
Поглощение света свободными носителями заряда в многодолинных полупроводниковых пленках
28
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
28
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
27
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
27
Теоретическое и экспериментальное исследования эксклюзии в образцах конечной длины. Переходный процесс при включении поля и нестационарные вольтамперные характеристики
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3597
Именной указатель
3149
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3129
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3051
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3045
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2992
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2976
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2968
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2962
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2954
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2925
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2916
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2903
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2893
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2892
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2887
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2887
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2882
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2878
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2865
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2862
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2855
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2854
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2796
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2795
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2791
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2791
Предметный указатель
2785
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2784
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2775
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2775
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2771
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2767
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2763
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2757
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2753
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2748
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2747
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2743
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2741
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2738
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2737
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2727
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2726
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2724
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2718
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2718
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2717
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2717
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2712
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme