Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1279187
1188790
1144356
1021782
873076
838004
765419
681653
809978
984164
976465
909718
906236
900334
879619
912622
935340
963678
851589
896708
839829
1056496
1070449
1040805
1004991
1089498
1095475
1054420
1008051
1041322
945788
829083
635474
481818
356355
175407
106451
30344
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
30
Зона локальных состояний в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами I. Гальваномагнитные явления под давлением
29
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
29
Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
28
Влияние примеси углерода на свойства аморфного кремния
27
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
26
Мезоскопическое поведение поперечной прыжковой проводимости аморфной пленки
26
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
26
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
26
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
26
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
26
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
26
Влияние гидростатического давления на N-ОДП в условиях магнитоконцентрационного эффекта
26
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
26
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
25
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
25
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
25
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4
25
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия
25
Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии, подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3543
Именной указатель
3105
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3068
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2987
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2960
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2923
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2915
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2885
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2882
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2878
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2868
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2863
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2848
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2837
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2822
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2819
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2816
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2814
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2809
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2803
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2783
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2778
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2776
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2752
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2749
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2745
Предметный указатель
2744
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2712
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2711
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2708
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2707
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2701
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2697
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2694
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2692
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2691
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2689
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2688
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2684
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2678
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2672
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2669
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2663
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2662
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2662
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2661
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2659
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2659
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2656
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2655
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme