Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11048
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
92
Распределение количества просмотров по годам:
1256454
1168531
1124942
1003652
858394
823796
752949
670485
796806
966289
957103
890943
888892
883443
863158
895050
918282
945157
834304
878869
822930
1036563
1049545
1020542
987840
1070665
1077092
1035205
991179
1019037
925036
808710
618334
466463
342787
167579
100211
25797
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
430
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
78

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs
37
Формирование активационного барьера на контакте металл--аморфный полупроводник
37
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
36
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
35
О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
34
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
33
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
33
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
33
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
33
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
33
Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах n-TlSbSe2
33
Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния
32
Критика и библиография
32
Зависимость пробивного поля (Eпр) от степени компенсации (C) в n-Ge
32
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
32
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
31
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
31
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
30
Распределение радиационных дефектов и физическая природа "аномальных" спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных alpha-частицами
30
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
30
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3507
Именной указатель
3056
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3020
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2940
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2907
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2883
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2852
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2837
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2819
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2814
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2806
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2805
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2803
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2796
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2776
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2770
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2754
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2743
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2740
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2734
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2728
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2719
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2717
Предметный указатель
2709
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2703
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2698
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2690
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2674
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2669
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2666
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2666
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2651
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2645
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2643
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2637
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2633
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2633
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2632
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2627
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2626
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2623
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2621
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2620
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2615
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2614
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2614
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2606
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2604
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2604
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2603
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Неустроев Л.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme