Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1386348
1285218
1235663
1105228
941881
904859
824630
738189
873211
1058025
1049586
985142
979973
974531
949381
985192
1005217
1036667
914363
967015
904868
1134354
1146413
1126501
1084026
1170537
1184767
1134813
1096645
1140101
1043108
921347
711164
547877
414219
210399
134257
53377
5017
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
34

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
379
О поглощении звука свободными носителями в слабо легированных компенсированных полупроводниках
27
Циклотронные массы и g*-факторы электронов в твердых растворах арсенид кадмия--арсенид цинка
27
Кластерный расчет связанных состояний кислорода в кремнии
27
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
26
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
26
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
26
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
26
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
26
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
25
О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs
25
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
25
Синие SiC-6H-светодиоды
25
Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As2Se3
25
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
25
К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника в неоднородном магнитном поле
24
Нестационарные токи двойной инжекции в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок
24
Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях
24
К вопросу о двухэлектронном обмене в легированных твердых растворах Pb(Sn)Se
24
Предметный указатель
24
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3766
Именной указатель
3354
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3321
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3267
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3234
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3172
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3168
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3156
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3121
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3112
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3092
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3090
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3076
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3076
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3072
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3057
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3052
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3048
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3044
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3038
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3036
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3033
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3017
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2982
Предметный указатель
2971
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2966
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2963
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2961
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2958
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
2953
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2946
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2938
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2936
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2934
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2931
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2929
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2925
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2924
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2919
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2918
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2917
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2904
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2899
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2896
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2895
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2892
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2888
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2888
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2887
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2885
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Гафийчук В.В.
2
Засавицкий И.И.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme