Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1163348
1087400
1049559
932999
802945
767942
704142
626064
747096
911972
901465
838162
837737
835477
814777
848205
870035
893746
788163
830244
778800
983180
995069
963661
934843
1001245
1013089
964355
932556
947983
857258
743050
561678
415403
294301
136722
73003
10836
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
48
Аннотации депонированных статей
48
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
47
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
40
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
39
Дисперсия косых медленных поверхностных магнитоплазменных волн
37
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
36
Внутризонное поглощение в размерно-квантовых полупроводниковых средах
35
Новые книги по полупроводникам
34
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
34
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
34
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
33
Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме и рекомбинация на границах в пленках Рb0.8Sn0.2Te на BaF2
33
Шумы и диффузия в коротких n+-n-n+-InP-структурах
33
Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
32
Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния
32
Электрические и магнитные свойства системы Fe1-xZnxCr2S4
32
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
32
О дефектах, возникающих в n-InP при низкотемпературном облучении
32
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
32
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3281
Именной указатель
2849
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2833
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2762
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2706
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2688
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2676
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2632
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2631
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2627
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2611
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2595
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2583
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2583
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2576
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2560
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2535
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2533
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2530
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2529
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2517
Предметный указатель
2517
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2516
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2508
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2497
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2496
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2493
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2471
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2468
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2467
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2460
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2459
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2457
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2457
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2445
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2443
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2438
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2434
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2433
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2427
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2426
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2426
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2422
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2420
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2416
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2415
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2412
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
2412
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2410
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2410
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Левин Е.И.
2
Малевич В.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Стусь Н.М.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Маркевич В.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme