Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11035
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
79
Распределение количества просмотров по годам:
1226056
1142058
1100950
981410
840469
806171
737477
657056
781389
948899
938726
873435
871387
867375
847165
879349
902171
928050
818777
862625
808042
1018619
1030878
1001100
970032
1049781
1056672
1013860
971231
993898
902802
786271
598817
449365
327804
158677
92648
20046
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
393
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
68

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
53
О существовании медленных поверхностных волн геликонного типа
52
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
50
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
50
Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная проводимость тонких образцов
48
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
48
Теория мезоскопических флуктуаций сопротивления проводников со сложной геометрией
47
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
47
Неравновесные электроны и фононы в полупроводниках конечных размеров в электрических полях
47
Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках
46
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
46
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
45
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
45
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
45
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
45
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
44
Распад твердого раствора Si<Mn> при всестороннем гидростатическом сжатии
44
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
44
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
44
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
44
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3445
Именной указатель
2993
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2962
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2894
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2839
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2824
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2784
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2762
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2754
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2753
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2743
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2743
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2739
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2733
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2719
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2710
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2697
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2677
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2664
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2662
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2661
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2660
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2655
Предметный указатель
2645
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2631
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2619
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2618
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2615
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2613
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2603
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2595
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2590
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2584
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2579
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2574
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2573
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2568
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2562
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2560
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2558
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2558
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2555
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2555
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2552
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2548
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2546
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2544
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2542
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2541
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2535
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Куликов Г.С.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme