Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1270689
1181240
1137128
1015016
867438
832727
760785
677542
804983
977123
969471
902792
899853
894189
873534
906232
929053
957138
845392
890295
833949
1049421
1063566
1033759
998322
1082263
1088241
1047228
1001994
1033439
938562
822212
629482
476499
351718
172850
104199
29250
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
35
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
33
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
31
Методика лазерного катодопоглощения
29
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
29
Критика и библиография
28
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
28
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
27
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
27
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
27
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
27
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
27
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
26
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
26
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
26
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
25
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
25
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
25
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
25
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3531
Именной указатель
3089
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3053
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2968
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2942
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2905
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2896
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2865
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2858
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2858
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2848
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2845
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2832
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2820
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2812
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2801
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2791
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2790
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2779
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2779
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2761
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2755
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2749
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2736
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2735
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2733
Предметный указатель
2732
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2702
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2694
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2691
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2690
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2683
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2681
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2674
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2673
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2669
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2668
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2668
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2667
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2660
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2657
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2651
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2647
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2645
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2644
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2643
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2643
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2639
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2637
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2633
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Торишний В.И.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme