Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10768
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
64
Распределение количества просмотров по годам:
779939
731580
703038
626254
539901
522242
477974
424053
513138
641950
637166
583571
583466
588960
570872
591709
615159
624128
543694
574825
539880
687244
698924
680783
653592
703630
712435
684003
655367
632044
534325
425787
281174
162493
69977
4012
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
293
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Магнитная восприимчивость и термоэдс вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe1-xSx
19
Влияние промежуточного диэлектрического слоя на фототок в поверхностно-барьерных структурах металл--n-CdxHg1-xTe
15
Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
15
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
15
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1-xSnx<Na>
15
Именной указатель
15
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
15
Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии
14
Инверсия населенностей при неомическом разогреве в бесщелевых полупроводниках
14
Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда методом электромодулированной фотолюминесценции
14
Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных материалах
14
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
14
Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (lambda=0.86/0.78 мкм) лазеры раздельного ограничения (Jп=100 А/см2, КПД=59%)
14
Новые книги по полупроводникам
14
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
14
Диффузия горячих фотоэлектронов в металл --- эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки
14
О температурной зависимости зонных параметров дырок в теллуре
14
Подавление светом шума 1/f в кремнии
13
Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах n-TlSbSe2
13
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
13
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2260
Именной указатель
1992
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
1898
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
1883
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
1870
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
1858
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
1852
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
1842
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
1801
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
1792
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
1789
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
1749
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
1741
Предметный указатель
1737
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
1726
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
1723
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
1722
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
1716
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
1708
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
1706
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
1694
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
1693
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
1692
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
1691
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
1691
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
1690
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
1687
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
1684
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
1680
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
1670
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
1666
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
1665
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
1663
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
1661
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
1656
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
1655
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-Ge1-xSix
1646
Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ
1644
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
1640
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
1640
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
1639
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
1638
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
1636
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
1635
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
1635
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
1634
Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
1633
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
1629
Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe-GaAs
1628
Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле
1627

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme