Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1297307
1204763
1159774
1036527
885886
849556
775178
690968
821141
999838
992916
926304
921878
915654
894848
927660
949864
979746
865774
911947
853798
1074034
1087537
1062472
1023240
1107034
1113466
1072780
1023506
1057551
961083
844348
649048
493273
366330
181084
110954
34598
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
91

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
35
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
35
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
33
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
32
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
32
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
31
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
30
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
30
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
28
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
28
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
27
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
27
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar+
27
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
26
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
26
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
26
Неравновесные электроны и фононы в полупроводниках конечных размеров в электрических полях
26
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
26
Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge
26
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3579
Именной указатель
3135
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3114
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3027
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3023
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2972
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2949
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2946
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2945
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2937
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2906
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2896
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2880
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2875
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2872
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2872
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2870
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2859
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2858
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2849
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2843
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2833
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2829
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2778
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2778
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2778
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2771
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2769
Предметный указатель
2769
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2754
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2753
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2751
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2748
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2745
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2739
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2737
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2735
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2728
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2721
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2717
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2713
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2710
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2710
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2704
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2703
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2700
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2699
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2697
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2697
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2696
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme