Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1287061
1195210
1151239
1028622
878755
842946
769653
685993
814903
991441
984162
917216
913384
907179
886419
919286
941938
970939
857897
903635
846240
1064350
1077973
1050042
1012441
1097337
1103324
1062588
1013642
1048458
952796
836428
641432
486413
360383
177643
108139
32032
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
29
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
28
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
28
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
26
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar+
26
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
25
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
25
Методика лазерного катодопоглощения
25
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
25
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
25
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
25
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
24
Излучательная рекомбинация халькогенидов кадмия, индуцированная низкотемпературной пластической деформацией
24
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
23
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
23
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
23
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
23
Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
23
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1-xSnx<Na>
23
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
23
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3559
Именной указатель
3117
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3093
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3000
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2990
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2947
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2930
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2914
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2909
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2901
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2891
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2876
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2861
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2857
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2841
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2841
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2840
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2838
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2831
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2830
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2813
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2803
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2800
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2763
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2762
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2759
Предметный указатель
2755
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2739
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2732
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2728
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2727
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2723
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2722
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2721
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2716
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2713
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2709
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2705
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2701
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2693
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2689
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2686
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2683
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2681
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2681
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2680
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2678
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2677
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2677
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2674
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Куликов Г.С.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme