Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1356953
1258303
1211108
1082620
923597
886397
808171
723085
855046
1038025
1031420
966238
958613
957278
932967
966596
987607
1019164
898348
948528
888005
1114864
1126827
1105903
1065631
1150605
1160549
1114821
1074838
1114841
1015732
893378
689808
529331
399202
201105
125880
46634
2448
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Влияние интенсивности облучения электронами на накопление A-центров в области пространственного заряда в кремнии
43
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
39
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4
39
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
39
Квантовый гармонический резонанс в кремнии
38
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
38
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
37
Междузонное тепловое излучение полупроводников
36
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
34
Туннельно-рекомбинационные токи в p-n-переходах на основе CdxHg1-xTe при T>80 K
34
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
34
Критика и библиография
34
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
33
Резонансные уровни в сильно компенсированном p-PbTe по данным ИК поглощения
33
Анизотропия прыжкового магнитосопротивления n-Ge
32
Распространение электромагнитных волн вдоль слоев периодической структуры полупроводник--диэлектрик с учетом гиротропии
32
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
32
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
31
Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями
31
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP1-xSbx (x=< 0.07)
31
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3712
Именной указатель
3281
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3250
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3191
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3164
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3110
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3102
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3089
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3065
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3059
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3033
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3017
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3010
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3009
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3004
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2998
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2995
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2993
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2992
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2991
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2971
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2969
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2961
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2924
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2905
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2904
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2897
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2885
Предметный указатель
2885
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2884
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2875
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2874
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2874
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2867
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2866
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2865
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2859
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2857
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2854
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2853
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2849
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2849
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2836
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2832
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2830
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2829
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2828
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2828
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2825
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
2816
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Кернер Б.С.
2
Токранов В.Е.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme