Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1402353
1299027
1248837
1116872
950599
914411
833739
745945
881584
1067175
1058993
993438
988771
982968
957784
994170
1014169
1046190
922510
976950
913154
1144344
1157334
1136449
1093757
1181302
1194681
1144853
1109723
1155890
1056077
933892
720730
558293
423661
216064
139192
57503
8022
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
36

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
23
Захват неравновесных носителей и кинетика фотоотклика в p-n-переходах
23
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования при имплантации ионов фосфора в кремний
21
Механизм низкотемпературного стимулированного излучения света в твердых растворах AIIBVI
21
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
21
Инверсия населенностей в узкощелевых полупроводниках при фотонакачке
20
Именной указатель
20
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
20
Поведение примесей бора и фосфора в кремнии при облучении нейтронами и последующих отжигах
19
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
19
Мезоскопическое поведение поперечной прыжковой проводимости аморфной пленки
19
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
19
Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs
18
Дисперсия косых медленных поверхностных магнитоплазменных волн
18
Ионно-лучевое легирование аморфного кремния, содержащего изовалентную примесь германия
18
Аннотации депонированных статей
18
О возможности реализации инверсной населенности спиновых подуровней Ландау в n-InSb при интенсивном субмиллиметровом возбуждении
18
Синие SiC-6H-светодиоды
18
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
18
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
18
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3803
Именной указатель
3401
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3359
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3304
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3268
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3207
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3207
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3194
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3164
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3144
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3135
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3123
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3123
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3113
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3104
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3102
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3090
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3086
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3080
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3075
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3060
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3059
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3053
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3018
Предметный указатель
3011
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
3006
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
3005
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
3004
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
3000
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2997
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2987
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2972
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2969
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2969
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2967
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2965
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2961
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2960
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2955
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2953
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2949
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2941
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2938
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2933
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2932
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2927
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2925
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2923
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2919
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2918
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Додин Е.П.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Куликов Г.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Неустроев Л.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme