Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11035
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
79
Распределение количества просмотров по годам:
1207265
1128405
1087220
968262
830461
796002
728656
649094
772133
940171
929304
864882
863171
859618
839050
871528
893946
919073
810759
854097
800483
1009587
1021481
990892
961177
1036770
1043154
1000822
961164
982020
891410
775291
589561
440588
319689
153714
88197
16838
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
393
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
76

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
52
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
49
Аннотации депонированных статей
43
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
40
Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур
40
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
38
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
38
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
37
О причине аномалий спин-решеточной релаксации и низкотемпературной теплоемкости в аморфном кремнии и германии
36
Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных материалах
36
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
35
Именной указатель
34
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
34
Концентрация свободных электронов в полупроводнике в условиях дефицита фотонов
34
Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного полуизолирующего GaAs при термообработке
33
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
33
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
33
Происхождение глубоких уровней примесей непереходных элементов в кремнии и германии
33
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
32
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
32
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3398
Именной указатель
2950
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2922
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2853
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2796
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2783
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2753
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2720
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2717
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2709
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2705
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2704
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2697
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2684
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2672
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2669
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2642
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2628
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2628
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2618
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2614
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2614
Предметный указатель
2611
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2608
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2583
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2581
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2580
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2569
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2564
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2564
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2549
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2547
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2547
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2542
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2542
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2541
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2527
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2521
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2515
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2515
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2515
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2506
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2506
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2505
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2503
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2503
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2503
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2501
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2501
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2499
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Левин Е.И.
2
Малевич В.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Диамант В.М.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Гафийчук В.В.
2
Куликов Г.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme