Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1285552
1193827
1150098
1027478
877797
842127
768934
685343
814007
990090
982463
915777
911848
905789
885141
918015
940581
969531
856698
902225
844972
1062671
1076525
1047631
1010885
1095804
1101747
1060957
1012527
1046936
951392
834884
640151
485511
359569
177240
107807
31704
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
27
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
26
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
25
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
25
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
24
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
24
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
24
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
24
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
24
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
23
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
23
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
23
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
23
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
22
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
22
Теорема "площадей" и межподзонное бесстолкновительное поглощение ультракоротких импульсов света в кубическом полупроводнике
22
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1-xSnx<Na>
22
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
22
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
22
Распад твердого раствора Si<Mn> при всестороннем гидростатическом сжатии
22
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3555
Именной указатель
3115
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3092
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2999
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2986
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2942
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2928
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2905
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2904
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2894
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2890
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2875
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2859
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2856
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2838
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2837
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2835
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2832
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2829
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2827
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2801
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2800
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2795
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2761
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2757
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2756
Предметный указатель
2754
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2732
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2729
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2726
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2722
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2720
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2715
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2713
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2710
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2709
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2703
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2701
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2699
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2690
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2685
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2682
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2681
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2678
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2676
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2676
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2675
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2674
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2670
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2669
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme