Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1335497
1239804
1193603
1066530
911337
872648
796613
710091
842574
1023698
1017159
950904
944955
938433
917902
950888
972777
1005245
888002
935799
875127
1101016
1112777
1092172
1052449
1133094
1144369
1099843
1057277
1092855
993254
875469
676229
517240
388325
193515
120594
42414
1227
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Критика и библиография
42
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
40
О природе дефектов с уровнем Ec-0.18 эВ в кремнии
39
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
37
Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации
36
Влияние резонансных нейтронов на характеристики трансмутационно легированного германия
34
Циклотронные массы и g*-факторы электронов в твердых растворах арсенид кадмия--арсенид цинка
32
Поперечная прыжковая проводимость аморфных пленок в сильных электрических полях
31
Неустойчивость холодных электронов в полупроводниках
30
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
30
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
29
Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта
29
О механизмах перестройки комплексов в полупроводниках
28
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
28
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
27
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
27
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
27
Туннельно-рекомбинационные токи в p-n-переходах на основе CdxHg1-xTe при T>80 K
27
Нелинейное поглощение ИК излучения в дырочном германии при низких температурах
27
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3663
Именной указатель
3226
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3204
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3130
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3112
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3055
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3045
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3037
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3027
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3015
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2988
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2970
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2961
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2960
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2951
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2950
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2948
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2947
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2945
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2940
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2925
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2921
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2916
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2872
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2860
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2856
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2853
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2852
Предметный указатель
2846
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2839
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2837
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2835
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2831
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2826
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2816
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2813
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2811
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2809
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2807
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2801
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2800
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2794
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2793
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2790
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2789
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2786
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2783
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2781
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2780
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2772
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Марущак В.А.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Казанский А.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme