Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11053
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
97
Распределение количества просмотров по годам:
1259202
1170611
1127537
1005891
860069
825428
754510
671949
798713
968424
959402
893131
891041
885499
865104
897316
920623
947694
836605
881199
825263
1038880
1051994
1023394
989997
1073198
1079565
1037627
993600
1022113
927326
811474
620701
468729
344414
168789
100959
26549
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
460
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
88

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Формирование активационного барьера на контакте металл--аморфный полупроводник
31
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
31
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
31
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
30
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
30
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
30
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
28
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
28
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
28
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
27
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
27
Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si
27
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и gamma-облучении кремния
26
Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении
26
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
26
О возможности немонотонного хода потенциала в аккумуляционном слое
26
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
25
1/f-шум ЭДС Холла в n-CdxHg1-xTe
25
Подавление динамического эффекта Бурштейна--Мосса оже-разогревом и безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP
25
Пульсирующие автосолитоны в разогретой в процессе оже-рекомбинации электронно-дырочной плазме
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3512
Именной указатель
3065
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3025
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2942
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2913
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2887
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2855
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2837
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2822
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2819
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2815
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2813
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2804
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2798
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2784
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2776
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2758
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2748
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2744
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2741
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2732
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2721
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2718
Предметный указатель
2712
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2708
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2708
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2701
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2679
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2672
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2671
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2669
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2654
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2648
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2647
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2647
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2640
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2638
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2636
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2635
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2631
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2628
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2625
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2622
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2619
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2617
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2615
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2613
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2613
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2612
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2610
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Пышная Н.Б.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme