Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1270396
1181002
1136904
1014829
867286
832540
760630
677412
804773
976877
969283
902643
899606
894010
873328
906093
928860
956748
845229
890063
833820
1049242
1063215
1033561
998064
1081980
1088018
1047006
1001808
1032977
938256
821909
629276
476306
351550
172735
104129
29094
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
38
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
34
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
34
Методика лазерного катодопоглощения
30
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
30
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
30
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
29
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
29
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
29
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
28
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
27
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
27
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
27
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
26
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
26
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
26
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
26
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
26
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
26
Критика и библиография
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3531
Именной указатель
3087
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3052
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2965
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2940
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2905
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2895
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2865
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2857
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2856
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2848
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2845
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2831
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2820
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2812
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2800
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2790
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2789
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2779
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2777
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2758
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2753
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2748
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2736
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2735
Предметный указатель
2732
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2732
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2702
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2693
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2690
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2689
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2683
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2679
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2673
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2672
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2669
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2668
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2667
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2664
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2659
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2657
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2651
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2647
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2645
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2644
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2643
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2642
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2637
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2637
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2631
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Толстобров М.Г.
2
Асрян Л.В.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme