Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1316109
1221763
1176014
1051359
898579
860871
785858
700102
831505
1012666
1005842
939734
934391
928289
907086
939944
961918
993470
877458
924821
865281
1088148
1101085
1078830
1039250
1121092
1128152
1087213
1041052
1074470
977205
859723
662621
504871
377178
187467
115902
37696
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
87
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
33
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
33
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
32
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
31
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
30
Профили показателей преломления и поглощения в кремнии, имплантированном ионами фосфора
29
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
29
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
29
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
29
Особенности осцилляций Шубникова-де--Гааза в Mn0.11Hg0.89Te
29
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
29
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
28
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
28
Рассеяние квазичастиц в вырожденной зоне на короткодействующих потенциалах
28
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
28
Поляритоны в арсениде галлия n-типа
27
Фотоемкостной эффект на запертых p-n-переходах
27
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
27
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
27
Селективный захват межузельных атомов углерода в облученном кремнии
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3618
Именной указатель
3174
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3153
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3083
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3066
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3010
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3000
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2991
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2989
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2980
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2935
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2932
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2923
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2919
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2916
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2911
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2907
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2905
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2897
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2894
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2883
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2876
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2875
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2824
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2817
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2811
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2811
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2811
Предметный указатель
2809
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2803
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2799
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2790
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2787
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2779
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2777
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2774
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2771
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2766
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2765
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2762
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2760
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2757
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2747
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2745
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2743
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2743
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2739
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2737
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2735
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2733
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Григорьев Н.Н.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme