Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10966
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
10
Распределение количества просмотров по годам:
1030529
965298
928595
827172
712955
680905
624946
555790
666093
826776
819899
756975
757524
759852
736619
762760
787556
804736
705106
740784
694246
879750
892029
860920
832488
890888
902847
860544
831757
832048
740305
631178
461748
325425
217246
85976
29142
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
68
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
18

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Неомические эффекты в ВЧ прыжковой проводимости
29
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
29
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
29
Фоточувствительность длинных диодных структур на основе варизонных твердых растворов AlxGa1-xAs
28
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом А. В. Степанова
28
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
28
Влияние промежуточного диэлектрического слоя на фототок в поверхностно-барьерных структурах металл--n-CdxHg1-xTe
28
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
27
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
27
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
26
Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов
26
Эффект термостимулированного переключения в туннельной ПДП структуре
25
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
25
Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (lambda=1.3 мкм) и InGaAsP/GaAs (lambda=0.85 мкм)
25
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
25
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
25
Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости n-GaP<Ni>
24
Статические характеристики МДП транзисторов на основе CdxHg1-xTe
24
Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа
24
Квантовый гармонический резонанс в кремнии
23
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2997
Именной указатель
2611
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2533
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2421
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2400
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2400
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2377
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2370
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2348
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2315
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2307
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2292
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2280
Предметный указатель
2273
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2257
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2252
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2244
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2241
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2237
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2234
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2228
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2219
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2218
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2211
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2211
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2209
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2206
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2204
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2199
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2192
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2188
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2187
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2187
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2183
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2179
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2175
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2170
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2165
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
2164
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2160
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
2158
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2158
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
2154
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2145
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
2145
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2144
Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
2142
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
2138
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
2136
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
2135

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme