Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1308191
1214519
1168566
1044984
893100
855649
780963
696226
827104
1007771
1001076
935054
929771
923702
902739
935568
957693
988798
873142
919931
861039
1082808
1096126
1072965
1033181
1116017
1122782
1082153
1034082
1065934
969602
852395
656276
499359
372099
184511
113408
37041
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
91

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
38
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
36
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
35
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
34
Влияние инверсионного слоя на туннельную полевую генерацию носителей тока в МДП структурах
34
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
34
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
33
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
32
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
32
Магнитная восприимчивость и термоэдс вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe1-xSx
32
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
32
Профили показателей преломления и поглощения в кремнии, имплантированном ионами фосфора
31
Критика и библиография
31
Поглощение света свободными носителями заряда в многодолинных полупроводниковых пленках
31
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
31
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
30
Особенности осцилляций Шубникова-де--Гааза в Mn0.11Hg0.89Te
30
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
30
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
30
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
30
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3598
Именной указатель
3152
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3130
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3054
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3050
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2993
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2980
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2974
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2967
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2965
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2925
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2916
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2906
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2898
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2898
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2894
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2894
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2886
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2881
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2871
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2867
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2859
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2857
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2798
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2797
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2796
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2792
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2789
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2788
Предметный указатель
2786
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2780
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2780
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2772
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2766
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2762
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2757
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2751
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2750
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2749
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2748
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2742
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2742
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2731
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2729
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2726
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2725
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2723
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2721
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2718
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2717
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme