Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1173204
1096058
1057504
940076
808536
773880
709429
631044
752605
918000
907248
844268
843442
841191
820541
853052
874904
899029
792805
835126
783533
988772
1000589
969413
940441
1007698
1019192
971529
938720
955318
865433
750123
567455
420640
298898
139773
75450
10638
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Аннотации депонированных статей
45
Накопление E3-центров в n-GaAs при gamma-облучении в интервале температур 77/580 K
41
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
38
Критика и библиография
38
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
36
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
35
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
34
Дисперсия косых медленных поверхностных магнитоплазменных волн
33
Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
33
Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
33
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
33
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
32
Определение параметров рекомбинационных центров посредством дифференциального анализа температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда
32
Поглощение света в полупроводниковых соединениях AIIIBV p-типа
32
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
32
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
32
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
31
Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As2Se3
31
Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах
31
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
31
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3307
Именной указатель
2872
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2850
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2779
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2724
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2703
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2692
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2651
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2647
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2644
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2627
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2618
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2612
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2599
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2592
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2583
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2553
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2551
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2550
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2546
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2536
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2535
Предметный указатель
2534
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2532
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2513
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2513
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2504
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2487
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2486
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2486
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2482
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2478
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2477
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2474
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2465
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2464
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2457
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2450
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2446
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2446
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2445
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2443
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2442
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2439
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2437
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2436
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2435
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
2429
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
2425
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2425
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Марущак В.А.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme