Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1170211
1093294
1054993
937902
806760
772146
707565
629063
750722
916611
905604
842221
841603
839172
818484
851859
873415
897371
791536
833588
782107
987100
999049
967787
938708
1005516
1017575
968666
936441
953247
863293
748494
566196
419512
298021
139147
74925
10136
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Накопление E3-центров в n-GaAs при gamma-облучении в интервале температур 77/580 K
41
Дисперсия косых медленных поверхностных магнитоплазменных волн
33
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
33
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
33
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
32
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
31
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
31
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
30
Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
30
Аннотации депонированных статей
30
Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
29
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
29
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
29
Эффект вытеснения тока в гетероструктурных транзисторах на горячих электронах
29
Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца
29
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
28
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
28
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
28
Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии
28
Первое информационное сообщение
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3298
Именной указатель
2864
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2846
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2775
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2719
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2699
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2687
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2645
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2645
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2638
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2623
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2613
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2603
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2592
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2588
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2576
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2548
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2547
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2545
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2542
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2532
Предметный указатель
2529
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2528
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2522
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2508
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2507
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2500
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2484
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2484
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2482
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2474
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2473
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2472
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2468
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2462
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2455
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2450
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2445
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2441
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2440
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2438
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2437
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2436
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2432
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2429
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2428
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2426
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
2426
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2421
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2419
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Марущак В.А.
2
Козырев С.В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Якушева Н.А.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme