Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10725
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
21
Распределение количества просмотров по годам:
730199
684215
658795
586889
506193
490005
449532
398800
484032
606411
601114
549726
548468
554324
536968
557448
580523
588200
513256
543673
509955
649971
660330
647025
619853
668033
675453
649338
621161
593575
494278
385605
246685
130263
40464
1412
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
101
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
238
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
28

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Влияние нейтронного облучения и отжига на свойства кремния, легированного германием
23
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
17
Распределение радиационных дефектов и физическая природа "аномальных" спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных alpha-частицами
15
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
14
Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций
14
Динамическая релаксационная спектроскопия --- определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции
12
Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света
12
Эффект вытеснения тока в гетероструктурных транзисторах на горячих электронах
12
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
12
Влияние междырочных столкновений на разогрев и поглощение света теплыми дырками в p-Ge
11
Рекомбинация в n-Si при термообработке и облучении
11
Квантовые ямы, обусловленные неоднородным магнитным полем
11
Фоточувствительность длинных диодных структур на основе варизонных твердых растворов AlxGa1-xAs
10
Циклотронный резонанс горячих дырок германия
10
Фототок в варизонной структуре при нестационарном возбуждении
10
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4
10
Исследование электронных свойств соединения Bi2Se3 в твердом и жидком состояниях
10
Подавление светом шума 1/f в кремнии
10
Рассеяние двумерных носителей тока на отдаленной кулоновской примеси
10
Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием
10
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2104
Именной указатель
1838
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
1802
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
1772
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
1771
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
1768
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
1753
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
1723
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
1701
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
1683
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
1672
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
1645
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
1638
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
1628
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
1628
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
1620
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
1616
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
1610
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
1608
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
1600
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
1595
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
1592
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
1591
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
1590
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
1586
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
1582
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
1582
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
1582
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
1579
Предметный указатель
1579
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
1572
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
1568
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
1563
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
1560
Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ
1553
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
1549
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
1549
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-Ge1-xSix
1548
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
1543
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
1542
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
1541
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
1541
Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям
1540
Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов p-Pb0.8Sn0.2Te/n-PbTe0.92Se0.08
1540
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
1536
Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
1536
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
1535
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
1535
Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений AIIIBV
1535
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
1534

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme