Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1174198
1096585
1058435
940558
809041
774274
709696
631349
752919
918637
908048
844720
843794
841507
820838
853654
875371
899526
793177
835583
783854
989127
1001002
969876
940994
1008501
1019632
972094
939025
956097
865865
750689
567909
420955
299143
139930
75617
11023
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Аннотации депонированных статей
45
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
38
Накопление E3-центров в n-GaAs при gamma-облучении в интервале температур 77/580 K
37
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
36
Критика и библиография
36
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
36
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
35
Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
34
N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках
34
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
33
Селективный захват межузельных атомов углерода в облученном кремнии
33
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
33
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
32
Поглощение света в полупроводниковых соединениях AIIIBV p-типа
32
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
32
Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом
31
Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
31
Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As2Se3
31
Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах
31
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
31
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3309
Именной указатель
2873
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2851
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2780
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2726
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2705
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2697
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2652
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2650
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2645
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2630
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2620
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2617
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2602
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2594
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2588
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2555
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2553
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2551
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2548
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2538
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2536
Предметный указатель
2536
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2533
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2518
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2514
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2507
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2488
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2487
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2487
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2482
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2481
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2479
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2478
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2467
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2465
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2458
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2453
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2448
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2447
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2447
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2444
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2444
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2441
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2440
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2438
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2436
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
2429
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2428
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2427
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Ясковец И.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Талалакин Г.Н.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Курбанов К.Р.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme