Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11048
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
92
Распределение количества просмотров по годам:
1253176
1165577
1122120
1001204
856405
821845
751163
668963
795035
964314
955111
888956
886953
881574
861431
893265
916480
943132
832586
876945
821195
1034379
1047463
1018233
985900
1068601
1075105
1033198
989213
1016539
922739
806258
616377
464825
341468
166724
99478
25150
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
430
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
78

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
33
О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs
32
Критика и библиография
31
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
31
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
30
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
29
Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах n-TlSbSe2
29
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
28
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
27
Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния
26
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
26
Усиление малого сигнала в возбужденном n-Ge(Ni) в условиях возникновения умножения периода
26
Зависимость пробивного поля (Eпр) от степени компенсации (C) в n-Ge
26
Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка
26
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
25
Распределение радиационных дефектов и физическая природа "аномальных" спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных alpha-частицами
25
Формирование активационного барьера на контакте металл--аморфный полупроводник
25
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
25
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
25
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3501
Именной указатель
3052
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3010
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2935
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2902
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2874
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2845
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2830
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2809
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2807
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2800
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2794
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2793
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2787
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2769
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2765
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2749
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2737
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2732
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2725
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2718
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2711
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2711
Предметный указатель
2700
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2696
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2688
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2684
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2665
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2663
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2660
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2660
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2645
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2637
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2634
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2629
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2627
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2624
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2621
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2619
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2619
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2616
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2615
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2610
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2607
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2607
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2601
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2599
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2596
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2595
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2595
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme