Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1310148
1216102
1170030
1046372
894286
856595
782010
696940
828020
1008838
1002097
936007
930669
924586
903705
936506
958612
989903
873952
920874
861808
1083926
1097132
1074229
1034324
1116970
1124020
1083202
1035596
1067602
971300
853894
657524
500499
373218
185186
113910
35944
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
88
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
36
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
34
Магнитная восприимчивость и термоэдс вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe1-xSx
34
Критика и библиография
34
Плотность резонансных состояний по данным термоэдс в PbTe<Тl>
32
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
31
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
31
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и gamma-облучении кремния
31
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
30
Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии, подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K
30
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
30
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
30
Эффекты анизотропии сжатия в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных серой, при всестороннем давлении
29
Поглощение света свободными носителями заряда в многодолинных полупроводниковых пленках
29
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
29
Влияние инверсионного слоя на туннельную полевую генерацию носителей тока в МДП структурах
29
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
29
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
28
Исследование кинетики упорядочения дефектно-примесной системы кремния
28
Влияние примесей водорода и азота на люминесценцию эпитаксиальных пленок теллурида свинца
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3603
Именной указатель
3155
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3135
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3060
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3056
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2997
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2986
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2980
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2971
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2968
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2925
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2920
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2909
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2905
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2902
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2897
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2897
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2891
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2888
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2878
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2871
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2860
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2860
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2801
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2800
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2800
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2796
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2794
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2794
Предметный указатель
2787
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2783
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2781
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2775
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2770
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2763
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2761
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2754
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2754
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2752
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2751
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2746
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2743
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2735
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2731
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2731
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2729
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2727
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2723
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2722
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2719
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Гафийчук В.В.
2
Засавицкий И.И.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme