Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1318087
1223442
1178290
1053510
900256
862667
787336
701181
832908
1013714
1006965
940811
935524
929021
908127
941426
963654
995090
878894
926317
866694
1089841
1102861
1080763
1041375
1122933
1129732
1088533
1042356
1075971
978710
860736
664018
505907
378343
188293
116435
38243
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
87
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
38
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
33
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
32
Поперечная фотопроводимость легированной сверхрешетки
31
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
31
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
31
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
31
"Бестоковое" планарное магнитоусиление гидро- и мезозвука в изотропных и анизотропных полупроводниках
31
Фотоемкостной эффект на запертых p-n-переходах
30
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
30
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа AIVBVI
29
Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах n-TlSbSe2
29
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
29
Осцилляции ВАХ сверхрешетки в квантующем магнитном поле
29
Предметный указатель
29
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
28
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
28
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
28
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
28
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3621
Именной указатель
3180
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3157
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3092
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3074
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3017
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3002
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2995
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2995
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2983
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2940
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2935
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2929
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2923
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2919
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2916
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2911
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2910
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2903
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2899
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2888
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2884
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2881
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2828
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2820
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2818
Предметный указатель
2816
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2815
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2815
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2805
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2803
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2792
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2792
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2783
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2780
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2779
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2778
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2771
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2771
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2766
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2765
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2760
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2751
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2751
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2749
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2748
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2746
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2744
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2740
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2737
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Прима Н.А.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Толстобров М.Г.
2
Асрян Л.В.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme