Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1341423
1245585
1198306
1070998
915271
876162
799876
713052
845947
1027609
1020402
954546
948448
941625
921040
953979
976007
1008685
890884
939419
878799
1105061
1116452
1095673
1055947
1136798
1148995
1103422
1061174
1096986
997204
879329
680048
520210
390584
195131
121879
43486
1572
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Критика и библиография
57
О природе дефектов с уровнем Ec-0.18 эВ в кремнии
47
Влияние резонансных нейтронов на характеристики трансмутационно легированного германия
42
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
40
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
40
Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации
39
Неустойчивость холодных электронов в полупроводниках
39
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
38
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
38
Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов
38
Фотоемкостной эффект на запертых p-n-переходах
36
Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта
36
Поперечная прыжковая проводимость аморфных пленок в сильных электрических полях
36
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
35
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
35
Роль шнурования тока в магниточувствительности планарных магнитотранзисторов
35
Межпримесная рекомбинация дырок через A+-состояния в слабо компенсированном p-Si
35
Нелинейное поглощение ИК излучения в дырочном германии при низких температурах
35
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
34
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
34
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3672
Именной указатель
3241
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3214
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3141
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3122
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3066
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3055
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3049
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3038
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3025
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2999
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2980
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2974
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2971
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2960
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2960
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2960
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2957
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2957
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2953
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2937
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2930
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2925
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2882
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2869
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2865
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2861
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2861
Предметный указатель
2856
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2850
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2848
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2845
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2843
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2837
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2829
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2824
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2824
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2823
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2823
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2818
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2808
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2808
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2805
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2799
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2798
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2798
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2797
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2796
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2793
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2787
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme