Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1330756
1235365
1189279
1062960
908233
869833
794098
707689
839916
1020847
1014066
948175
942418
935937
915155
948013
970117
1002124
885176
933007
872857
1097747
1110113
1089135
1049570
1130177
1140528
1096868
1053016
1087811
988886
871275
672570
513894
385406
192126
119501
41128
781
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
39
Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe<Se>
39
Именной указатель
38
Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии p-типа
35
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
34
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
34
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
34
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
33
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
33
Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации
32
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
32
Влияние электрического поля на термическую эмиссию дырок собственными дефектами в p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией
32
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
32
Инверсия населенностей в узкощелевых полупроводниках при фотонакачке
31
Шумы и диффузия в коротких n+-n-n+-InP-структурах
31
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
31
Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле p-n-перехода
31
Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si
31
Особенности осцилляций Шубникова-де--Гааза в Mn0.11Hg0.89Te
31
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
30
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3653
Именной указатель
3219
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3190
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3121
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3100
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3041
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3036
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3024
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3017
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3009
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2978
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2961
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2955
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2952
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2942
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2940
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2938
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2935
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2934
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2929
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2907
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2907
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2906
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2860
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2853
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2843
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2842
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2841
Предметный указатель
2837
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2829
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2828
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2827
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2818
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2816
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2804
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2804
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2800
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2797
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2795
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2790
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2790
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2785
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2784
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2780
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2774
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2773
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2773
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2772
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2772
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2763
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Неустроев Л.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Торишний В.И.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme