Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10892
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
53
Распределение количества просмотров по годам:
911028
852335
823587
733790
632824
606357
555506
493468
593086
740452
735400
675712
676797
679944
658631
682015
706921
721567
629070
661736
620838
788715
802028
773071
744549
799219
809279
774865
747049
734206
639066
531804
372876
244988
145769
38638
4719
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
254
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
56

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием
20
Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия
14
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
14
Об "очистке" арсенида галлия висмутом
14
Исследование неидеальных гетеропереходов кремний--арсенид галлия методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней
13
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
13
Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям
12
Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур n-SiO2-p-CdGeP2<Ga>
12
Эффекты анизотропии сжатия в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных серой, при всестороннем давлении
12
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
12
Слои p-типа на кристаллах i-GaAs, отожженных в водороде
12
Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe<Se>
12
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
12
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
12
Дисперсия косых медленных поверхностных магнитоплазменных волн
11
Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием
11
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
11
Тензор Нернста--Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения
11
Слабое поглощение миллиметровых волн и прыжковая проводимость в слабо легированном кремнии
11
Междузонное тепловое излучение полупроводников
11
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2681
Именной указатель
2351
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2259
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2165
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2156
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2135
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2123
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2099
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2098
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2086
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2061
Предметный указатель
2043
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2034
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2025
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2015
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2011
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2006
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2001
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
1990
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
1989
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
1977
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
1976
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
1968
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
1966
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
1951
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1951
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
1945
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
1945
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
1943
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
1942
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
1938
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
1937
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
1929
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
1929
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
1927
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
1923
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
1922
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
1916
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
1914
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
1913
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
1912
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
1910
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
1910
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
1908
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
1900
Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ
1900
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
1899
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
1899
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
1896
К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника в неоднородном магнитном поле
1894

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme