"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Маркин Ю.В.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Предлагается метод спектроскопии ПС по релаксационным сигналам, адекватный случаю, когда опустошение ПС происходит в режимах авто- или термоавтоэлектронной эмиссии. Поскольку темп выброса носителей заряда с ПС существенно зависит от электрического поля в слое обеднения полупроводника, естественно анализировать зависимости измеряемых сигналов от величины поверхностного изгиба зон Us. Для дискретных и непрерывно распределенных по энергии ПС построена теория, описывающая зависимость релаксационных сигналов --- плотности тока разряда ПС и сигнала DLTS от Us. Рассмотрены два случая --- измерение разряда ПС при постоянном и при монотонно возрастающем Us. Построенная теория позволяет проводить спектроскопию ПС, опустошающихся только в авто- и термоавтоэмиссионном режимах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.