"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
Пищалко В.Д., Толстихин В.И.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

Теоретически исследовано влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP. Учтены механизмы разогрева, обусловленные инжекцией с гетеробарьеров, оже-рекомбинацией и выделением джоулева тепла. Показано, что разогрев носителей оказывает существенное влияние на ваттамперные характеристики ДГС. Проведены численные расчеты эффективной температуры, квантового выхода и коэффициента инжекции, результаты которых сравниваются с известными экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.