"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Одночастотный режим вынужденного излучения в кристаллах p-Ge в полях E0|| B0||<100>
Бразис Р.С., Кунигелис А.А.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

Получено вынужденное излучение в диапазоне 104-156 ГГц из кристаллов Ge с остаточной примесью Аl в полях E0|| B0||<100>. Проведены исследования влияния поперечных размеров образца на спектр излучаемых частот. Показано, что с уменьшением толщины образца зона генерации сужается и реализуется одночастотный режим излучения. Экспериментально установленные значения абсолютных отрицательных эффективных масс (ОЭМ) дырок |mc|=(0.26+0.35)m0 близки к теоретическим значениям масс на оси конуса ОЭМ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.