Описана новая методика, позволяющая исследовать изменение оптических свойств полупроводников под действием наносекундных импульсов ускоренных электронов. Сущность методики состоит в просвечивании полупроводникового соединения излучением широкополосного лазера на красителе при синхронном возбуждении кристалла электронами. Лазер на красителе возбуждался излучением многоэлементного полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком. Экспериментальная апробация предлагаемой методики осуществлялась на соединении CdS_0.6Se_0.4.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.