На некомпенсированных кристаллах Ge : Sb и Ge : As с концентрациями электронов 3.5·10¹⁶-1.4·10¹⁸ см^-3 в интервале температур 5=< T=<95 K измерены зависимости коэффициентов поперечного Q ^normal и продольного Q^|| эффектов Нернста-Эттингсгаузена от температуры и магнитного поля. Для большинства исследованных образцов на кривых |Q ^normal (T)| наблюдался максимум при температуре, близкой к температуре максимума термоэдс |alpha(T)|. На образцах с концентрациями электронов n ниже критической концентрации n_c, соответствующей переходу металл-диэлектрик, обнаружена смена знака как Q ^normal (T), так и Q^||(T). Предлагается качественная интерпретация некоторых особенностей исследованных эффектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.