"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
Аникин М.М., Левинштейн М.Е., Попов И.В., Растегаев В.П., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

Впервые экспериментально обнаружен знакопеременный характер изменения температурного коэффициента напряжения (ТКН) лавинного пробоя beta с температурой в p-n-структуpax на основе гексагональных 6H- и 4H-политипов карбида кремния при направлении поля E в переходе, параллельном гексагональной оси C (E|| C). На основании полученных результатов высказано предположение о том, что отрицательный знак beta в SiC при E|| C возникает за счет влияния глубоких примесей, а не в результате минизонной структуры зоны проводимости, как предполагалось ранее.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.