"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Алфёров Ж.И., Гарбузов Д.З., Денисов А.Г., Евтихиев В.П., Комиссаров А.Б., Сеничкин А.П., Скороходов В.Н., Токранов В.Е.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Приведены результаты фотолюминесцентных исследований квантово-размерных AlGaAs/GaAs-гетероструктур, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в структурах с толщиной активной области более 100 Angstrem при T=300 K внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации приближается к 100%, а при уменьшении толщины активной области до 50 Angstrem внутренний квантовый выход падает до 40% из-за термического выброса носителей и последующей безызлучательной рекомбинации в волноводных слоях. При оптической накачке структуры с толщиной активной области 200 Angstrem импульсным лазером (lambda=0.58 мкм) верхний предел пороговой плотности излучения был эквивалентен плотности тока 250 А/см2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.