Приведены результаты фотолюминесцентных исследований AlGaAs/GaAs-гетероструктур, изготовленных МОС гидридной газофазной эпитаксией, и данные первых измерений параметров инжекционных лазеров, изготовленных из структур с p-n-переходом. При фотолюминесцентных измерениях установлено, что в структурах с толщиной активной области более 300 Angstrem внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации ~100%. При уменьшении толщины активной области до 50 Angstrem внутренний квантовый выход падает до ~40%. В лазерных диодах с широким контактом получены пороговая плотность тока 250 А/см², дифференциальная эффективность на два зеркала порядка 55%, мощность в непрерывном режиме генерации около 1.4 Вт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.