"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации
Алфёров Ж.И., Гарбузов Д.З., Жигулин С.Н., Кузьмин И.А., Орлов Б.Б., Синицын М.А., Стругов Н.А., Токранов В.Е., Явич Б.С.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Приведены результаты фотолюминесцентных исследований AlGaAs/GaAs-гетероструктур, изготовленных МОС гидридной газофазной эпитаксией, и данные первых измерений параметров инжекционных лазеров, изготовленных из структур с p-n-переходом. При фотолюминесцентных измерениях установлено, что в структурах с толщиной активной области более 300 Angstrem внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации ~100%. При уменьшении толщины активной области до 50 Angstrem внутренний квантовый выход падает до ~40%. В лазерных диодах с широким контактом получены пороговая плотность тока 250 А/см2, дифференциальная эффективность на два зеркала порядка 55%, мощность в непрерывном режиме генерации около 1.4 Вт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.