"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа AIVBVI
Засавицкий И.И., Ковальчик Л., Мацонашвили Б.Н., Сазонов А.В.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Из спектров фотолюминесценции измерена зависимость Eg(x) при 4.2 и 77 K для кристаллов Pb1-xMnxS (0=< x=<0.014), Pb1-xMnxTe (0=< x=<0.015) и Pb1-xMnxSe (0=< x=<0.02). Для указанных составов зависимость Eg(x) является линейной с соответствующими наклонами 3.2, 3.4 и 3.8 эВ/доля x. Из измерений спектров фото- и электролюминесценции в магнитном поле для кристаллов Pb1-x-yMnxSnySe при 4.2 K следует, что имеется большой вклад обменного взаимодействия в g-фактор дырок. Определена величина обменного интеграла Jv=- 0.4 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.