Исследован энергетический спектр дырок в полупроводниках с вырожденной валентной зоной для прямоугольных квантовых ям конечной глубины. Получены аналитические выражения для продольных эффективных масс в подзонах размерного квантования. Представлены результаты расчетов энергетических спектров для GaAs в широком диапазоне значений параметров ям. Исследовано влияние сложной структуры валентной зоны на энергетический спектр квазидвумерных экситонов. Показано, что для переходов между электронными и дырочными подзонами размерного квантования разной четности оптически активными являются состояния экситона с проекцией момента |m|=1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.