"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поперечная фотопроводимость легированной сверхрешетки
Кондратьева О.Г., Неустроев Л.Н., Осипов В.В.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Вычислены вольтамперная характеристика и коэффициент фотоэлектрического усиления вертикального фоторезистора на основе легированной сверхрешетки, у которой толщины n- и p-слоев превышают длину свободного пробега электронов и дырок. Рассмотрены три возможных механизма рекомбинации фотоносителей: излучательный, Оже и Шокли-Рида. Показано, что коэффициент фотоэлектрического усиления вертикального фоторезистора на основе легированной сверхрешетки может достигать величины порядка 105 при напряжении смещения всего несколько десятых вольта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.