Предложена теория, описывающая динамику экранирования электрического поля в примесном полупроводнике после скачкообразного включения сильного обедняющего напряжения. Использована модель, учитывающая ионизацию примесных центров, перенос основных носителей заряда и их обратный захват. Теория позволяет определить режим процесса экранирования в зависимости от соотношения характерных времен ионизации tau₁ жизни носителей в зоне проводимости tau и максвелловского времени tau_M. В случае глубокого примесного уровня характер экранирования существенно зависит от параметра tau₁/tau_M. При tau₁<<tau_M стационарное состояние устанавливается в результате расширения обедненного слоя со средней скоростью v=v₀tau/tau₁<< v₀, где v₀ - дрейфовая скорость носителей. При tau_M<<tau₁ переходный процесс сопровождается эффектом стратификации - появлением слоев объемного заряда чередующихся знаков. Теория полностью согласуется с результатами экспериментов, в которых наблюдались оба описанных режима.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.