"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
Фурман А.С.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Предложена теория, описывающая динамику экранирования электрического поля в примесном полупроводнике после скачкообразного включения сильного обедняющего напряжения. Использована модель, учитывающая ионизацию примесных центров, перенос основных носителей заряда и их обратный захват. Теория позволяет определить режим процесса экранирования в зависимости от соотношения характерных времен ионизации tau1 жизни носителей в зоне проводимости tau и максвелловского времени tauM. В случае глубокого примесного уровня характер экранирования существенно зависит от параметра tau1/tauM. При tau1<<tauM стационарное состояние устанавливается в результате расширения обедненного слоя со средней скоростью v=v0tau/tau1<< v0, где v0 - дрейфовая скорость носителей. При tauM<<tau1 переходный процесс сопровождается эффектом стратификации - появлением слоев объемного заряда чередующихся знаков. Теория полностью согласуется с результатами экспериментов, в которых наблюдались оба описанных режима.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.