Исследованы проводимость и магнитосопротивление в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем, при концентрациях акцепторов, близких к критической концентрации перехода металл-диэлектрик 4.5·10¹⁶<N_a, см^-3<2· 10¹⁷, в интервале температур T=4.2/0.5 K и напряженности магнитного поля H=0/5.5 Т. Обнаружено, что обменное взаимодействие между дырками примесной зоны и электронами d-оболочки иона марганца оказывает существенное влияние на явления переноса вблизи N_кр на диэлектрической стороне перехода металл-диэлектрик. Наблюдаются более резкий переход металл-диэлектрик по сравнению с кристаллами p-InSb, легированными немагнитной примесью - германием, возникновение гигантского отрицательного магнитосопротивления, наличие максимума в зависимости удельного сопротивления от концентрации марганца при T<1 K. Предполагается, что проявление сильного влияния магнитных свойств марганца связано с упорядочением спинов марганца путем косвенного обмена через дырки в примесной зоне. Отмечается, что подобные эффекты наблюдались ранее лишь в магнитных и полумагнитных полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.