"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Ракеш Кумар, Мамутин В.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Шмарцев Ю.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Исследовано влияние условий получения эпитаксиальных слоев InP и InGaAs на концентрацию и подвижность носителей заряда. Из анализа температурной зависимости холловской подвижности определялись параметр, характеризующий степень микронеоднородности пленок NsQ (Q --- сечение рассеяния электронов этими неоднородностями, Ns --- их концентрация), и степень компенсации K=NA/ND. Величина подвижности в эпитаксиальных слоях, полученных путем длительного отжига раствора-расплава в атмосфере водорода, ограничивается рассеянием на упомянутых неоднородностях кристалла, а добавление в раствор-расплав редкоземельных элементов (РЗЭ) снижает NsQ даже в сильно компенсированных образцах (K~= 1) и приводит к увеличению подвижности. Установлено, что уменьшение концентрации носителей в эпитаксиальных слоях, наблюдающееся при легировании раствора-расплава РЗЭ, происходит за счет снижения фоновой концентрации доноров VI группы. Предполагается, что в жидкой фазе образуются тугоплавкие химические соединения РЗЭ с элементами VI группы, что препятствует их вхождению в твердую фазу. Показано, что совместное легирование раствора-расплава РЗЭ и акцепторными примесями позволяет увеличить концентрацию дырок в твердых растворах In1-xGaxAs1-yPy.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.