В широком температурном интервале (77/380 K) изучены прямые ветви вольтамперных характеристик (ВАХ) электролюминесцентных диодов Au-ZnS. Установлено, что высота потенциального барьера, определенная независимыми методами (емкостным, электрическим, из температурной зависимости термоэлектронного тока), составляет величину 2.5±0.05 эВ при 300 K. Комплексное исследование электрофизических свойств структур свидетельствует о том, что диэлектрический слой между металлом и полупроводником можно не учитывать. Прямой ток при малых смещениях описывается в рамках модели, учитывающей рекомбинацию в области пространственного заряда через донорно-акцепторные пары. Дырки на акцепторные уровни при этом попадают туннельным путем. При повышении напряжения рекомбинационный ток ограничивается туннельным во всем исследуемом температурном диапазоне. В области низких (T<200 K) температур туннельные процессы полностью определяют наблюдаемые на опыте начальные участки ВАХ. При больших смещениях прямой ток контролируется надбарьерным прохождением носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.