По спектрам фотоответа структур Au-GaAs_1-xSb_x (n- и p-типа) определены значения высоты барьера Шоттки (varphi_bn,varphi_bp) в диапазоне составов, отвечающих 0=< x=< 0.125. Установлено, что для GaAs_1-xSb_x varphi_bn,varphi_bp отличны от соответствующих значений для GaAs, не зависят от x и равны varphi_bn=0.78± 0.02 эВ при 300 K, varphi_bn=0.88±0.03 эВ при 77 K, varphi_bp=0.82± 0.06 эВ при 77 K. При рассмотрении свойств контактного барьера привлечены представления о зоне поверхностных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.