"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
Шаронова Л.В., Полянская Т.А., Нажмудинов X.Г., Каряев В.Н., Зайцева Л.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

По спектрам фотоответа структур Au-GaAs1-xSbx (n- и p-типа) определены значения высоты барьера Шоттки (varphibn,varphibp) в диапазоне составов, отвечающих 0=< x=< 0.125. Установлено, что для GaAs1-xSbx varphibn,varphibp отличны от соответствующих значений для GaAs, не зависят от x и равны varphibn=0.78± 0.02 эВ при 300 K, varphibn=0.88±0.03 эВ при 77 K, varphibp=0.82± 0.06 эВ при 77 K. При рассмотрении свойств контактного барьера привлечены представления о зоне поверхностных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.