"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоемкостной эффект на запертых p-n-переходах
Мармур И.Я., Новиков Ю.Б., Оксман Я.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Приведены результаты исследования реакции p-n-переходов на ИК излучение в условиях, когда энергии, поглощаемой свободными носителями тока, недостаточно для преодоления последними потенциального барьера и фотоответ может возникать вследствие изменения барьерной емкости диодов. Германиевые p-n-переходы возбуждались однократными лазерными импульсами 10.6 мкм длительностью около 150 нc. Зависимости формы импульсного фотоответа от емкости p-n-перехода и сопротивления нагрузки подтверждают емкостной характер датчика сигнала. Получены также частотные характеристики (103-107 Гц) фотоответа полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом при их облучении непрерывным CO2-лазером. Фототок в канале в этом случае линейно связан с фотоиндуцированным изменением барьерной емкости затвора. Наблюдаемый фотоемкостной эффект приписывается инерционному изменению температуры p-n-перехода и быстрому перераспределению разогретых свободных носителей тока в области объемного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.