Сформулирован самосогласованный метод расчета электронной структуры примесных центров переходных элементов в полупроводниках. Получены общие соотношения для полной электронной энергии основного состояния и для энергии переходов, связанных с изменением чисел заполнения одноэлектронных состояний в кристалле. Показано, что основное состояние примесного центра марганца соответствует эффективной конфигурации d⁵ с резонансным уровнем для спина "вверх" глубоко в валентной зоне и с делокализованным дырочным уровнем со спином "вниз" вблизи края валентной зоны. Для примесного центра железа получены энергии перехода из валентной зоны на резонансный уровень спина "вниз" и энергия внутрицентрового перехода ⁵E->⁵T₂. Результаты указывают на качественное, а в ряде случаев и на количественное согласие с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.