Приводятся результаты исследования электрических: свойств эпитаксиальных слоев (ЭС) p-Mn_xCd_yHg_1-x-yTe (МКРТ) с шириной запрещенной зоны 250/350 мэВ, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов, обогащенных теллуром. По температурным зависимостям коэффициента Холла и холловской подвижности оценены концентрации электрически активных доноров и акцепторов. Концентрация дырок вблизи температуры жидкого азота находится на уровне 10¹⁵ см^-3, что на 2 порядка ниже, чем в ЭС Cd_xHg_1-xTe, полученных в аналогичных условиях. Этот эффект связывается со снижением концентрации собственных дефектов за счет введения марганца в состав твердого раствора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.