"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства эпитаксиальных слоев MnxCdyHg1-x-yTe
Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мовилэ В.Ф.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Приводятся результаты исследования электрических: свойств эпитаксиальных слоев (ЭС) p-MnxCdyHg1-x-yTe (МКРТ) с шириной запрещенной зоны 250/350 мэВ, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов, обогащенных теллуром. По температурным зависимостям коэффициента Холла и холловской подвижности оценены концентрации электрически активных доноров и акцепторов. Концентрация дырок вблизи температуры жидкого азота находится на уровне 1015 см-3, что на 2 порядка ниже, чем в ЭС CdxHg1-xTe, полученных в аналогичных условиях. Этот эффект связывается со снижением концентрации собственных дефектов за счет введения марганца в состав твердого раствора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.