"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние отклонения от стехиометрии на природу мелких акцепторных состояний в кристаллах CdTe
Агринская Н.В., Шашкова В.В.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Исследованы спектры фотопроводимости и фотолюминесценции в области донорно-акцепторной рекомбинации чистых кристаллов CdTe, выращенных в условиях различного отклонения от стехиометрии. Показано, что превалирующий тип мелких акцепторов в кристаллах n-типа (с избытком Cd) отличается от акцепторов в кристаллах p-типа (с избытком Те). В кристаллах n-типа доминируют остаточные акцепторы, замещающие Те (Р, As), а в кристаллах p-типа --- акцепторы, замещающие Cd (Li, Na). В результате отжига кристаллов p-типа в парах Cd происходит изменение типа превалирующих акцепторов (доминируют полосы, связанные с Р, As), что свидетельствует о перестройке остаточных примесей в подрешетках Cd и Те.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.