"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs
Матвеев Б.А., Петров В.И., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шабалин А.В.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Проведены исследования влияния собственных деформаций градиентных структур InAsSbP/InAs на интенсивность и спектры катодолюминесценции (КЛ) твердого раствора. Показано, что упругие напряжения уменьшают интенсивность КЛ и смещают энергию максимума на 6/8 мэВ в область больших энергий. При измерениях с широкозонной стороны InAsSbP наблюдалась затяжка спектра КЛ в низкоэнергетичную область, что вызвано фотонным дрейфом носителей. Эффект затяжки спектра подавлялся в присутствии подложки, что обусловлено падением квантового выхода люминесценции при увеличении деформации. Установлено увеличение вероятности безызлучательной рекомбинации на дислокациях несоответствия твердого раствора при возрастании степени упругой деформации кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.