"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
Еремин В.К., Медведев Л.С., Строкан Н.Б.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Проведено рассмотрение конкуренции двух рекомбинационных процессов --- поверхностной и оже-рекомбинации для случая плотного сгустка неравновесных носителей. По условиям задачи носители возникают "мгновенно" во времени и локализованы у поверхности мелкого p+-n-перехода на время состояния плазмы (порядка нескольких наносекунд). Установлено, что определяющую роль в динамике плазмы играет встроенное в p+-область электрическое поле, обусловленное градиентом концентрации примеси. Для этого необходимо согласование уровня легирования (p0) и плотности ионизации в треке (Delta p) так, чтобы p0>>Delta p. Встроенное поле эффективно оттесняет носители от поверхности, что подавляет поверхностную рекомбинацию. Прослежена эффективность подавления (достигающая 103 раз) в функции масштаба и уровня легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.