"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
Болд З., Казанский А.Г., Климашин И.В., Миличевич Е.П., Теруков Е.И.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Исследовано влияние энергии возбуждения в области энергий квантов 1.04/2.5 эВ на температурное гашение фотопроводимости в гидрогенизированном аморфном кремнии (a-Si : Н) Измерения проведены на пленках нелегированного a-Si : Н, полученного методом разложения моносилана в ВЧ тлеющем разряде. Измерения показали, что отношение максимальной к минимальной величине фотопроводимости (sigmamaxф/sigmaminф) в области температурного гашения уменьшается при уменьшении энергии кванта до hnu~1.6 эВ. При дальнейшем уменьшении hnu величина sigmamaxф/sigmaminф изменяется слабо и спадает при hnu< 1.3 эВ. Для hnu< 1.1 эВ температурного гашения фотопроводимости не наблюдается. Анализ зависимостей величины sigmamaxф и температуры наблюдения Tmax от интенсивности возбуждения указывает на возможность существования двух типов состояний, определяющих температурное гашение в a-Si : Н. Данные состояния расположены на расстоянии ~0.35 и 0.65/0. 75 эВ от валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.