"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
Каваляускас А.А., Пека Г.П., Приступа П.В., Смоляр А.Н., Черюканов С.Д., Шиленас А.Л., Шимулите Е.А.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Исследовано влияние слабого поперечного магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs (0=< x=<0.43) при прямом и обратном смещениях. Особенностью ВАХ при прямом смещении является наличие участка ОДС S-типа, параметры которого существенно зависят от величины и направления магнитного поля. Высокая магниточувствительность (~80 В/Т при прямом смещении и ~20 В/Т - при обратном) объясняется магнитоконцентрационным эффектом в варизонной базе, неоднородной по времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда, и тянущим встроенным квазиэлектрическим полем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.