"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
Берман Л.С., Ременюк А.Д., Толстобров М.Г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Исследована зависимость скорости термоионизации e для E-центров (комплекс вакансия + фосфор) в кремнии от электрического поля E. Показано, что при 3· 104< E<2.3· 105 В/см облегчение термоионизации полем обусловлено туннелированием, ускоренным фононами, что согласуется с теорией. Логарифм отношения скорости термоионизации к ее значению при E=0 равен K E2, где K=(0.4±0.05)·10-10 (В/см)-2 для интервала 180-195 K. Идентификацию глубоких центров в низкоомных полупроводниках по температурной зависимости e(T) можно осуществить путем экстраполяции зависимости e( E) к E=0 при различных температурах. Зависимость e( E) может быть использована как дополнительный отличительный признак глубокого центра.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.