"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
Арапов Ю.Г., Давыдов А.Б., Зверева М.Л., Штрапенин Г.Л.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Методом магнитоплазменной отсечки СВЧ волн миллиметрового диапазона при температурах 1.7 и 4.2 K измерена диэлектрическая проницаемость chi бесщелевых полупроводников p-Hg1-xCdxTe (x~= 0.15). Для образца с (NA-ND)=1.6·1017 см-3 при T=1.7 K экспериментальное значение chi=13 и уменьшается с ростом температуры. Заниженное значение chi по сравнению с диэлектрической проницаемостью решетки chiL=16 связывается с отрицательным вкладом делокализованных дырок, которые активированы на край подвижности, расположенный вблизи уровня Ферми. Для образца с (NA-ND)=7.2·1016 см-3 при гелиевых температурах дырки локализованы, а завышенное значение chi=32 объясняется поляризацией микронеоднородностей, образующихся в полупроводнике из-за неоднородного распределения заряженных примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.