Методами ИК поглощения, ЭПР, электрофизическими измерениями изучены образование собственных (V₂,V^-₅) и кислородосодержащих дефектов (VO, VO₂, V₃O, V₃O₃ и др.), изменения состояний примесей О_I и C_S в кремнии при облучении реакторными нейтронами в диапазоне температур 60/750^oС и последующих отжигах. Определено, что электрически активные дефекты вводятся до температур облучения 750^oС. При этом наблюдаются изменения в концентрации примесей кислорода (O_I) и углерода (C_S). Восстановление электрических характеристик бескислородного кремния при высокотемпературном отжиге (~800^oС) коррелирует с восстановлением концентрации С_S. Наличие кислорода (до ~ 10¹⁸ см^-3) вызывает образование высокотемпературных форм комплексов С-О, стабильных до 900/1000^oC. Установлено, что концентрации большинства наблюдаемых при высокотемпературном облучении дефектов близки к концентрациям соответствующих центров, фиксируемых в процессе отжига материала, облученного при 60^oС. Из полученных результатов можно заключить, что перестройки дефектов в объеме материала и в разупорядоченных областях (РО) при повышенных T_обл и отжигах протекают одинаково. Причем в случае высокотемпературного облучения существенные потоки дефектов из РО или к РО либо отсутствуют, либо не отличаются от потоков при эквивалентных отжигах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.