"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами
Антоненко А.Х., Болотов В.В., Двуреченский А.В., Стучинский В.А., Харченко В.А., Стук А.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Методами ИК поглощения, ЭПР, электрофизическими измерениями изучены образование собственных (V2,V-5) и кислородосодержащих дефектов (VO, VO2, V3O, V3O3 и др.), изменения состояний примесей ОI и CS в кремнии при облучении реакторными нейтронами в диапазоне температур 60/750oС и последующих отжигах. Определено, что электрически активные дефекты вводятся до температур облучения 750oС. При этом наблюдаются изменения в концентрации примесей кислорода (OI) и углерода (CS). Восстановление электрических характеристик бескислородного кремния при высокотемпературном отжиге (~800oС) коррелирует с восстановлением концентрации СS. Наличие кислорода (до ~ 1018 см-3) вызывает образование высокотемпературных форм комплексов С-О, стабильных до 900/1000oC. Установлено, что концентрации большинства наблюдаемых при высокотемпературном облучении дефектов близки к концентрациям соответствующих центров, фиксируемых в процессе отжига материала, облученного при 60oС. Из полученных результатов можно заключить, что перестройки дефектов в объеме материала и в разупорядоченных областях (РО) при повышенных Tобл и отжигах протекают одинаково. Причем в случае высокотемпературного облучения существенные потоки дефектов из РО или к РО либо отсутствуют, либо не отличаются от потоков при эквивалентных отжигах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.