"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Распределение электронов в бинарных полупроводниках и явление убегания
Гарасько Г.И., Урюпин С.А.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Для находящегося в постоянном однородном электрическом поле полярного полупроводника с произвольной изотропной зависимостью энергии varepsilon(p) от квазиимпульса p излагается пригодная для любой степени вырождения теория распределения быстрых электронов. В пренебрежении слабой логарифмической зависимостью от энергии частоты электрон-фононных столкновений показано, что независимо от вида исходной функции распределения явление убегания электронов имеет место, если в области больших значений квазиимпульса varepsilon(p) растет быстрее, чем p 4-0.5pt/-0.5pt 1pt3. Проявление этого общего утверждения об убегании электронов продемонстрировано на примере двух наиболее часто обсуждаемых законов дисперсии. В случае кейновского закона дисперсии найдена неравновесная стационарная функция распределения, а в случае параболического закона дисперсии получено квазистационарное распределение с отличным от нуля потоком электронов. При varepsilon(p)~ p2 изучено также влияние электрон-электронных столкновений на поток электронов и величину напряженности критического поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.