Изготовлены эпитаксиальные p⁺-n-n⁺-структуры на основе карбида кремния политипа 6H с напряжением пробоя свыше 300 В и на прямые токи ~1 А (j~ 200 А/см²) при напряжениях ~4 В, работоспособные до температур ~800 K. Обратные токи при температуре 720 K и напряжении ~300 В составляют ~10^-6 А. Эффективное время жизни неосновных носителей в слое объемного заряда при высоких температурах в предположении модели Шокли-Нойса-Саа составляет ~10 нс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.