"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические характеристики эпитаксиальных p+-n-n+-структур на основе карбида кремния политипа 6H
Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В., Растегаев В.П., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Челноков В.Е.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Изготовлены эпитаксиальные p+-n-n+-структуры на основе карбида кремния политипа 6H с напряжением пробоя свыше 300 В и на прямые токи ~1 А (j~ 200 А/см2) при напряжениях ~4 В, работоспособные до температур ~800 K. Обратные токи при температуре 720 K и напряжении ~300 В составляют ~10-6 А. Эффективное время жизни неосновных носителей в слое объемного заряда при высоких температурах в предположении модели Шокли--Нойса--Саа составляет ~10 нс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.