"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
Крайчинский А.Н., Мизрухин Л.В., Осташко Н.И., Шаховцов В.И.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Исследована зависимость эффективности введения дефектов (ЭВД) в n-Si от интенсивности электронного потока. Установлено, что ЭВД как рекомбинационного, так и компенсирующего типа растет с ростом интенсивности облучения. С использованием ранее предложенной модели кулоновского взаимодействия противоположно заряженных вакансий и междоузельного атома, а также экспериментальной зависимости ЭВД от интенсивности облучения получен аналитический вид функции распределения генетических пар Френкеля, созданных облучением, по расстояниям между вакансией и междоузельным атомом. При используемой энергии электронов (3 МэВ) функция распределения экспоненциально спадает с ростом расстояний между вакансией и междоузельным атомом в диапазоне 30/55 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.