"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
Аблова М.С., Абдуманапов У.Ж., Абдурахманов К.П., Куликов Г.С., Уткин-Эдин Д.П., Ходжаев К.X.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Методом послойной авторадиографии и измерения остаточной активности исследована однородность легирования фосфором тонких пленок аморфного гидрированного кремния (a-Si : Н), осажденных на кремниевые подложки и подвергнутых нейтронной активации. На аналогичных пленках, осажденных на кварцевые подложки, изучено влияние фосфора на электрофизические параметры a-Si : Н при различных уровнях легирования. Показано, что фосфор, вводимый в пленку в процессе выращивания, распределяется достаточно однородно по площади и толщине пленки. Электропроводность легированных пленок на ~6 порядков больше электропроводности нелегированных пленок. Установлено, что концентрация введенных доноров пропорциональна N1/2P, где NP--- уровень легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.