Исследовано влияние изовалентных примесей (ИБП) (углерода, олова, германия) на структуру ближнего порядка и электрофизические свойства a-Si. Концентрация ИБП в a-Si изменилась от 0 до 20 ат%. Легирование a-Si изовалентными примесями осуществлялось путем магнетронного распыления составных мишеней кремний-графит, кремний-германий, кремний-олово. Введение атомов Ge слабо влияет на структуру ближнего порядка. В то же время легирование оловом приводит к увеличению координационных радиусов, а легирование углеродом - к их уменьшению. При концентрации углерода ~20 ат% полностью исчезает III пик радиальной функции распределения электронной плотности. Отмечается также существенное возрастание концентрации оборванных связей N_S. В нелегированном a-Si N_S=1.6·10¹⁹ см^-3 а в a-Si, содержащем 20 ат% углерода, N_S=1.3·10²⁰ см^-3. Наблюдаемые изменения радиусов координационных сфер обусловлены различием ковалентных радиусов атомов ИВП и кремния. Это различие в ковалентных радиусах, кроме деформации связей, приводит также к искажению углов между связями и обрыву последних. Структурные изменения приводят к изменению свойств этого полупроводника. Проводимость нелегированного a-Si составляла sigma=1·10^-7 Ом^-1·см^-1. При введении ~20 ат% углерода в a-Si sigma повышается на 5 порядков величины. В случае легирования оловом и германием sigma растет соответственно на 4 и 2-3 порядка. Анализ температурных зависимостей sigma(T) позволяет сделать вывод о том, что рост проводимости происходит за счет прыжковой компоненты и связан с увеличением плотности состояний вблизи уровня Ферми.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.