"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
Угрин Ю.О., Шерегий Е.М.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

Развит метод аналитического определения концентраций и подвижностей трех сортов носителей (тяжелые и легкие дырки, электроны) в областях дырочной и смешанной проводимости для узкозонных невырожденных полупроводников с большим отношением подвижностей тяжелых и легких носителей по полевым зависимостям коэффициента Холла в импульсном магнитном поле и измерениям электропроводимости. На примере p-InSb, легированного германием, показано, что в температурном интервале 77/160 K. вклад легких дырок в коэффициент Холла изменяется от 8 до 3%, проходя через максимум (53%) при T~100 K, в электропроводимость - от 0.6 до 3%, также достигая максимума (4.0%) при T~100 K. Для интерпретации экспериментальных результатов в области температур 77/160 K достаточно корректным является двухзонное приближение (тяжелые и легкие дырки при 77/100 K, электроны и тяжелые дырки при 120/160 K) с учетом холловского фактора электронов и дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.