"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
Иванов М.Г., Меркулов И.А., Эфрос Ал.Л.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Рассмотрено влияние резкой гетерограницы на положение и ширину донорных и акцепторных центров в полупроводниках типа GaAs. Получены асимптотические выражения, справедливые, когда расстояние от центра до гетерограницы превосходит радиус связанного состояния. Анализируются различия между кулоновскими центрами и центрами, описываемыми потенциалом "нулевого" радиуса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.